Fluent UDS模擬靜電噴涂

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靜電噴涂就是在普通噴涂的基礎(chǔ)上加入了電場對顆粒運(yùn)動的影響。簡言之就是計(jì)算帶電粒子在電場中的運(yùn)動。本次演示采用的依然是上一篇的手機(jī)殼的模型,不同之處是將噴槍的模型建立出來,并簡化為一根圓柱體。主要作用是和手機(jī)殼之間形成電場分布,從而計(jì)算出電場強(qiáng)度影響顆粒運(yùn)動。

1. 啟動軟件,讀入網(wǎng)格。

2. 設(shè)置計(jì)算為瞬態(tài)計(jì)算,考慮重力對顆粒運(yùn)動的影響,設(shè)置重力方向和大小。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖1

3. 計(jì)算為層流計(jì)算,只考慮顆粒運(yùn)動導(dǎo)致的氣體運(yùn)動,故為層流即可。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖2

4. 設(shè)置dpm模型,考慮連續(xù)相和顆粒相的耦合計(jì)算。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖3

5. 設(shè)置入射類型為cone,設(shè)置入射源的位置為噴槍端面,具體參數(shù)參考下圖,下列參數(shù)僅作為演示用,具體的顆粒直徑分布,大小以及質(zhì)量流量和速度等都需要根據(jù)實(shí)際model設(shè)置。點(diǎn)擊update injection display顯示設(shè)置的顆粒入射位置和角度等等。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖4


Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖5

6. 邊界條件。設(shè)置手機(jī)殼表面的dpm邊界為wall-film。具體參數(shù)如下圖。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖6

7. 保持其余設(shè)置默認(rèn),點(diǎn)擊初始化。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖7

8. 設(shè)置時間步長為0.0001s后進(jìn)行計(jì)算幾步。

注:此處時間步長的設(shè)置應(yīng)綜合計(jì)算一下噴槍與手機(jī)殼的表面距離,以及顆粒速度的關(guān)系進(jìn)行計(jì)算,保證顆粒經(jīng)過一定的時間步計(jì)算之后在到達(dá)手機(jī)殼表面。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖8

9. 計(jì)算約幾步之后,停止計(jì)算。此處計(jì)算幾步的目的是為了使得計(jì)算存在一些梯度變量。為下一步加入電場力做準(zhǔn)備。不然無法進(jìn)行下一步的計(jì)算,會報(bào)錯。

10. 點(diǎn)擊user define –functions,選擇compiled選擇兩個c文件,之后點(diǎn)擊load,點(diǎn)擊build。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖9

11. 設(shè)置uds數(shù)量為1,solution zone為all fluid zone,flux為none,如下圖。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖10

12. 設(shè)置udm數(shù)量為8.用于存儲電場梯度。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖11

13. 設(shè)置function hooks,設(shè)置define adjust如下圖,用于獲取每一步計(jì)算的電場強(qiáng)度。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖12


4. 在dpm面板udf選項(xiàng)卡下設(shè)置顆粒的受力,如下圖。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖13

15. 邊界條件下設(shè)置source面即噴槍的端面uds為6000,即電壓為6000V。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖14

16. 設(shè)置cellphone表面uds為0.這樣在噴槍和手機(jī)殼之間會生成電場分布。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖15

17. 其余設(shè)置保持默認(rèn),繼續(xù)點(diǎn)擊calculate進(jìn)行計(jì)算。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖16

18. 結(jié)果如下圖。

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖17

Fluent UDS模擬靜電噴涂的圖18

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