21. 柵片電弧背后電弧熱擊穿；

22. 背后熱擊穿，電弧電壓波形存在波浪形狀

23. 電弧進入滅弧柵片以后，它造成的熱氣流將會經滅弧室后壁反射，  這種反射的熱氣流進入背后區域將提升背后區域的溫度和氣體的游 離，因而采取措施，防止熱氣流反射進入背后區域；

24. 收縮型跑弧通道的滅弧室，有利于推動電弧進入滅弧室，而不利于 熱氣流的反射；

25. 塑殼斷路器緊湊，觸頭系統放置于 滅弧柵片兩條腿的中間，電弧接觸 產氣材料，材料氣化，冷卻電弧并 推動電弧進入滅弧室，同時抑制背 后擊穿；

26. 鞘層扮演著重要的角色，在新弧根移動和滅弧柵片切弧過程；

27. 在滅弧室開一個很大的出氣口，雖然可以排出熱氣流，但容易造成電弧噴弧 距離過大；電弧跑出滅弧室，電弧電壓反而大幅度降低，并且有可能造成三相短路；有效的措施是在滅弧室外側設置吸收裝置或熱氣流緩沖室，吸收裝 置可采用金屬網等裝置，用于吸收熱氣流帶電粒子，降低氣流溫度；

28. 當電弧進入滅弧室之后，滅弧柵片將電弧分成多個短弧，利用近極壓降使電弧電壓上升，而通過電弧的電流是隨著電弧溫度的下降及電弧背后區域溫度 的上升而減少的；電弧電阻越來越大，而電弧背后區域則是一個高溫導電通 道，其電阻相對于柵片電弧電阻逐漸減小，因此電弧背后區域可能重新擊穿，  電弧退出滅弧柵片；

29. 電弧被拉長，電弧電壓會上升；

30. 限流作用主要決定于電弧電壓，提高電弧電壓就意味著每一階段電弧電壓出現得更早，電弧電壓上升得更快，并且電弧電壓達到的幅值更高；

30. 低壓斷路器的電弧壓降有兩部分組成，即電弧拉長后的弧柱壓降U1和近極壓降△U，近極壓降為保持電弧陰極電子發射和陽極帶電粒子收集所必需的電壓降，是陰極壓降Uc和陽極壓降Ua之和，即△U=Uc+Ua，一般為20-25V；

31. 一般小型斷路器采用的柵片數量為10-20片，小型斷路器常采用單相電路，且電弧電壓幅值為1.414*220V=311V；

32. 對于塑殼斷路器，為了讓電弧順利的進入柵片，傳統的結構柵片間距需2mm左右，因而受結構上的限制，柵片數取得較少，一般為6-10片；8片近極壓降為225V，塑殼斷路器用于開端三相電路，電網線電壓幅值可達1.414*380V=537V；

33. 框架斷路器的柵片數量一般為15-20片；

34. 對柵片滅弧的低壓塑殼斷路器來說，當優化設計滅弧室或選擇新的滅弧結構，往往是同時提高弧柱電壓和短弧電壓；例如采用氣吹結構，氣吹對電弧的冷卻作用，有助于提高弧柱電壓，而氣吹吹動電弧，使電弧能順利的進入柵片，提高短弧的分割數，也提高了短弧電壓；

35. 單向低壓斥開，雙向高壓斥開；

36. 雙向斥開結構的觸頭開距較單向斥開結構有所增加，可以放置更多的柵片，電弧拉長各大，增加了弧柱電壓和短弧電壓；

37. 雙斷點開端的觸頭系統能獲得最佳的限流性能；有平行雙端點和旋轉雙端點觸頭系統，后者可降低空間；

38. 雙斷點觸頭系統與氣吹結合可獲得更佳的分斷性能；同一類觸頭系統，有氣吹的電弧電壓和滅弧室壓力都較無氣吹的高，這說明氣吹使滅弧室壓力上升，促進氣吹而冷卻驅動電弧；

39. 弧隙能否承受恢復電壓，決定于鞘層和弧柱在過零瞬間的電流密度J，根據實驗和分析，最大允許電流密度為1mA/cm2；隨著鞘層厚度的增加，擊穿電壓也增加；

40. 電流越高，弧隙的介質強度恢復越慢，介質恢復電壓降低；增加柵片厚度，介質恢復較高；