Workbench案例3-PCB電路板芯片熱分析
簡(jiǎn)介
下圖所示的電路板包括三個(gè)在正常運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量的芯片。其中一只芯片要電路板通電,芯片就會(huì)保持通電,另外兩個(gè)芯片通電和斷電是周期性地,在不同的時(shí)間以及有不同的持續(xù)時(shí)間。穩(wěn)態(tài)熱分析和瞬態(tài)熱分析用于研究由這些芯片產(chǎn)生的熱量引起的溫度變化。
操作步驟
創(chuàng)建穩(wěn)態(tài)熱分析項(xiàng)目:Steady-State-Thermal;
在穩(wěn)態(tài)分析項(xiàng)目之后,創(chuàng)建一個(gè)瞬態(tài)熱分析項(xiàng)目,并于穩(wěn)態(tài)熱分析項(xiàng)目連接;連接方式如圖所示:導(dǎo)入幾何模型:導(dǎo)入PCB板的幾何模型X_T格式;切換單位制為:Metric(m,kg,N,s,V,A)
網(wǎng)格劃分:設(shè)置網(wǎng)格劃分方式為Multi Zone;
設(shè)置Sizing:選擇初PCB板之外的其他15個(gè)元件,設(shè)置網(wǎng)格尺寸為:0.0009m;
設(shè)置Sizing:選擇PCB板,設(shè)置單元尺寸大小為:0.002m;如圖所示:
設(shè)置邊界條件:
設(shè)置發(fā)熱芯片的發(fā)熱量:Internal heat generation 大小為:5e7W/m3;芯片位置如圖所示:
設(shè)置熱傳導(dǎo)Convection:選擇所有的幾何模型;在Film Coefficient欄右鍵,選擇Import Temperature Dependent,如圖所示:
選擇Stagnant Air-Simplified Case;如圖所示:
5.求解&查看結(jié)果:查看穩(wěn)態(tài)分析結(jié)果的PCB板及元件溫度場(chǎng)如圖所示:
現(xiàn)在已完成穩(wěn)態(tài)熱分析,這是總體目標(biāo)的第一部分;對(duì)于本案例,將在其余步驟中執(zhí)行瞬態(tài)熱分析。
準(zhǔn)備瞬態(tài)熱分析時(shí)需要注意的事項(xiàng):
? 如果突出顯示瞬態(tài)熱對(duì)象下的初始溫度對(duì)象,會(huì)注意到在詳細(xì)信息視圖中,只讀顯示初始溫度和初始溫度環(huán)境。一般來(lái)說(shuō),初始溫度可以是:– 統(tǒng)一溫度:可以在其中指定結(jié)構(gòu)中所有物體的溫度=0,或 – 非均勻溫度:(如本例所示)在其中導(dǎo)入溫度規(guī)范 在時(shí)間=0 時(shí),來(lái)自穩(wěn)態(tài)分析。
? 初始溫度環(huán)境來(lái)自您剛剛執(zhí)行的穩(wěn)態(tài)熱分析。默認(rèn)情況下,穩(wěn)態(tài)分析的最后一組結(jié)果將用作初始 健康)狀況。如果有多個(gè)結(jié)果集可用,可以指定不同的集(不同的時(shí)間點(diǎn))
6.設(shè)置瞬態(tài)分析的時(shí)間:
總的瞬態(tài)仿真時(shí)間:200s;設(shè)置時(shí)間子步如圖所示:
7.設(shè)置邊界條件:
設(shè)置其中一個(gè)芯片的發(fā)熱量(Internal Heat generation=5e7W/m3),其作用時(shí)間為20-40s;具體設(shè)置參數(shù)如下所示:
設(shè)置另外一個(gè)芯片開(kāi)關(guān)作用的時(shí)間及發(fā)熱量:(Internal Heat Generation=1e8W/m3);設(shè)置具體參數(shù)如下圖所示:
8.求解及結(jié)果查看:
瞬態(tài)仿真得到的溫度場(chǎng)云圖,如圖所示:
瞬態(tài)溫度仿真溫度與時(shí)間數(shù)據(jù),如圖所示:
設(shè)置Temperature Probe,選擇穩(wěn)態(tài)分析中產(chǎn)生發(fā)熱的芯片:
得到其溫度與時(shí)間的關(guān)系曲線:
同理,采用Temperature Probe可以分別得到瞬態(tài)仿真時(shí)設(shè)置的另外兩個(gè)發(fā)熱芯片的時(shí)間溫度曲線:
選擇三個(gè)Temperature Probe,點(diǎn)擊Model菜單欄上的Chart,生成3個(gè)芯片溫度&時(shí)間曲線的合成曲線圖:
本案例使用的PCB板幾何模型(X_T格式)下載地址:
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