歐洲研究機構imec正在詳細介紹首個0.55高數值孔徑（NA）極紫外（EUV）光刻工具的開發。

這些內容是在2022 SPIE 高級光刻和圖案化會議上進行的，來自 imec 和荷蘭設備制造商 ASML 運營的聯合高 NA 實驗室。

雖然傳統 NA 已使 3nm 生產超越 2nm 制造工藝技術，但需要轉向高 NA 設備。這反過來將需要在屏蔽抗蝕劑和底層材料、光掩模技術和計量方面取得進步。

過去五年來，兩家公司一直在技術上合作：ASML、imec 將 EUV 光刻技術提升到高數值孔徑。“imec 正在與 ASML 合作開發高NA 技術，因為 ASML 正在構建其第一臺原型 0.55NAEUV 光刻掃描儀 EXE:5000，”imec 首席執行官 Luc Van den Hove 說。 

“與目前的 0.33NA EUV 光刻相比，高 NA EUV 光刻預計將打印超過 2nm 邏輯芯片所需的最關鍵特征，并且圖案化步驟更少。我們的職責是與全球圖案化生態系統緊密合作，確保及時提供先進的抗蝕材料、光掩模、計量技術、成像策略和圖案化技術——充分受益于高NA EUV光刻機提供的分辨率增益。”他說。