2022年4?， 恒普科技 推出了 SiC感應(yīng)晶體??爐 的新?代技術(shù)平臺，突破SiC?業(yè)晶體“?不快、?不厚、?不?”的3?缺點(diǎn)，解決了?業(yè)核?痛點(diǎn)。 

電動汽?的碳化硅?型的陸續(xù)密集推出，帶動了當(dāng)下SiC器件需求的井噴。在未來?段時(shí)間內(nèi)，SiC襯底的供應(yīng)依然?法滿?市場的需求。

?當(dāng)下國內(nèi)主流的SiC晶體??速度為0.1~0.2mm/h，晶體厚度為15~25mm，晶體尺?從4英?全?向6英?切換。國際上主流的SiC晶體??的速度為0.2~0.3mm/h，晶體的厚度為30~40mm，晶體尺?由6英?轉(zhuǎn)向8英?。 

?論是技術(shù)追趕，還是市場需求，在晶體質(zhì)量（缺陷等）保證的前提下，把SiC晶體?快、?厚、??，都是?業(yè)急迫需要解決的核?需求。

在這個(gè)背景下，恒普科技推出了新?代感應(yīng)發(fā)熱技術(shù)平臺，并以新技術(shù)平臺為基礎(chǔ)，推出了2款感應(yīng)式SiC晶體??爐，能夠解決SiC晶體“?不快、?不厚、?不?”的缺點(diǎn)。

新感應(yīng)晶體??平臺特點(diǎn)（部分）：

1、全尺?

同時(shí)推出6英?、8英?的2款爐型，滿??業(yè)晶體尺?加?的需求。 

2、?籽晶托或超薄籽晶托 

?由熱膨脹，利于應(yīng)?的釋放，減少由應(yīng)?產(chǎn)?的缺陷。料區(qū)與籽晶區(qū)，更靈活的溫度梯度調(diào)節(jié)。 

3、固定式?平線圈 

• ?需調(diào)節(jié)線圈的軸向移動，減少?藝變量，提??藝穩(wěn)定性。 

• 對籽晶區(qū)的溫場做到更精細(xì)的調(diào)整，使溫度更均衡。 

4、新熱場 

• 裝?更多原料，且利?率?。 

• 料區(qū)溫度分布對?晶影響的敏感度下降。 

• 增加了蒸發(fā)?積，可在超低壓?下??。 

• 傳質(zhì)效率提?且穩(wěn)定，降低再結(jié)晶影響（避免?次傳質(zhì)）。

• 減少邊緣缺陷的擴(kuò)徑技術(shù)。 

• ??后期，降低碳包裹物的影響。 

5、先進(jìn)技術(shù) 

新爐型標(biāo)準(zhǔn)配置了溫度閉環(huán)控制與?精度壓?控制等先進(jìn)技術(shù)。

a.溫度閉環(huán)控制：SiC晶體在2000℃以上的?溫下??，對溫度的穩(wěn)定性要求極?，但由于SiC粉料揮發(fā)等原因，?法做到溫度控制，?是采?功率控制（或溫度控制+功率控制組合），恒普科技的新技術(shù)就解決了這個(gè)痛點(diǎn)。 

b.?精度壓?控制：SiC晶體??爐在晶體??時(shí)，通常壓?控制的波動在±3Pa,恒普科技的新技術(shù)可以將壓?控制在±0.3Pa，提?了?個(gè)數(shù)量級。