全球范圍內的光伏行業正以良好的勢頭發展著，光伏逆變器也逐漸成為氮化鎵最大的應用領域之一。近日，又有一個專注開發用于光伏逆變器的GaN技術的研究團隊取得新進展，其搭載了英飛凌的首項GaN技術，并有望盡快投入實際使用。GaN-HighPower光伏逆變器搭載英飛凌GaN技術4月7日，據外媒報道，由英飛凌、SMA Solar Technology等聯合開展的GaN-HighPower項目目前正處于穩步進行階段，而該項目的光伏逆變器氮化鎵新技術正在開發和實際測試中。
據悉，GaN-HighPower項目由政府資助，并得到德國聯邦經濟事務和氣候行動部 (BMWK) 約 380 萬歐元（約2600萬人民幣）的資金支持。目前，該項目正由IEE研究所協調測試，研究開發新組件并優化系統，使其盡可能高效運轉并盡快投入使用。SMA Solar Technology AG 是世界領先的光伏和電池逆變器制造商之一，SMA 創新中心電力電子負責人 Klaus Rigbers 博士表示，GaN-HighPower聯合研究項目是開發基于氮化鎵半導體的電源轉換器，目的是為光伏應用準備下一代具有成本效益、資源節約和高效的轉換器，以降低成本和重量，同時保持高效率。值得注意的是，英飛凌將負責這個光伏逆變器項目的氮化鎵半導體技術研究。英飛凌公司工業電源控制部副總裁 Peter Friedrichs 博士表示，此前GaN 技術的應用僅限于更小的功率范圍，但目前他們已經證明 了GaN 半導體比碳化硅和傳統的硅組件更能實現更快、更高效的開關過程。據悉，GaN-HighPower項目研究人員的目標是開發具有140 kHz、超過100 千瓦高功率的串式逆變器，這樣就可以節省外殼、散熱器和電感元件的原材料，最終也降低了逆變器的成本和重量。MicroGaN GmbH致力開發GaN-on-Si電子元件據行家說三代半風向了解，德國還有一個團隊也在研發氮化鎵光伏逆變器。早在2012年，德國烏爾姆大學衍生公司MicroGaN GmbH團隊就與博世、英飛凌的開發部門合作，共同研究開發GaN-on-Si電子元件，目標是將其將應用于電信、消費電子、汽車以及光伏領域的電源系統。該團隊表示，這些“快速、小型、高功率密度開關”的氮化鎵器件可用于太陽能逆變器，以降低設備成本并提高太陽能發電量。在2010年，MicroGaN GmbH就與Diotec Semiconductor AG達成合作，共同開發設計600V的氮化鎵整流器器件，這種器件非常適合高頻開關電路，例如功率因數校正 (PFC) 和逆變器電路。它們提高了PFC效率，尤其是在部分負載條件下，驅動器和太陽能逆變器的功率損耗可以顯著降低。
