近日，韓國一家半導體企業宣布，他們也開發了1200V溝槽型SiC MOSFET器件，實現了車規級產品的本土化制造。

除了羅姆和英飛凌，國內外還有哪些企業和機構在開發溝槽型SiC MOSFET？今天，“三代半風向”給大家盤點一下。

韓國KEC：

已開發車規級溝槽型 SiC MOS

據韓媒4月4日報道，韓國KEC公司發布公告稱，他們主導的韓國國家項目“電動汽車和新可再生能源用1200V溝槽型SiC MOSFET ”成功達到了性能要求。一位KEC負責人表示：“這項技術不僅要打入汽車和工業市場，還要打入門檻低的其他民生市場。” 

KEC于1969年成立，是韓國非存儲功率半導體制造企業。

據了解，在KEC獲得該項目的研究成果之前，全球僅有兩家公司能夠量產1200V溝槽型SiC MOSFET。在溝槽型SiC功率半導體上，韓國100%依賴進口。因此，在2017年10月，KEC的“1200V溝槽型SiC MOSFET器件”項目被韓國政府選定為國家項目。據KEC負責人黃昌燮透露，該項目的開發周期為18個月，并獲得了28.33億韓元（約1470萬人民幣）的研究費用。

6家企業已量產

博世、日立等緊隨其后

除韓國KEC外，據“三代半風向”的不完全統計，目前已經有6家企業量產了溝槽SiC MOSFET。

▲ 2015年，羅姆開始批量生產業界首個溝槽型SiC MOSFET，將導通電阻降低了40％。

▲ 2016年，英飛凌推出1200 V溝槽SiC MOSFET——CoolSiC MOSFET，其導通電阻額定值為45mΩ。

▲ 2016年，富士電機開發了溝槽結構SiC MOSFET，閾值電壓5 V，導通電阻3.5mΩcm2。

▲ 2018年12月，住友電工已經開發出SiC VMOSFET，實現了1170V/0.63mΩcm2的低導通態電阻。

▲ 2019年9月，三菱電機宣布開發出溝槽型SiC MOSFET，導通電阻1.84mΩcm2，擊穿電壓超過1500V。

▲ 2020年12月10日，電裝宣布開始批量生產SiC溝槽MOSFET。

● 博世

博世汽車電子高級副總裁 Ralf Bornefeld表示，十多年前，他們就將目光投向了具有垂直架構的SiC溝槽MOSFET，開發了一種稱為博世工藝的高縱橫比等離子蝕刻工藝，以在晶圓上形成深而陡峭的孔和溝槽。

 

● 日立

2021年4月，日立發布了一款號稱“業界最節能”的TED-MOS溝槽結構的SiC MOSFET 。

● 西安交通大學

2021年12月，我國國產SiC MOSFET技術獲得新突破——溝道遷移率提升近200%。西安交通大學聯合西安電子科技大學的共同研究成果，不僅實現了高質量的SiO2/SiC界面、高的溝道遷移率和介電可靠性，更令人鼓舞的是，他們所提出的高效低溫退火工藝與標準SiC MOSFET 制造工藝兼容，為制備高性能SiC MOSFET器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件的制備。

● 日本京都大學

2021年10月，日本京都大學官網宣布，他們成功開發一款溝槽型SiC MOSFET原型，通過獨特的方法降低SiC的缺陷，晶體管性能提高了6倍以上。

由于溝道遷移率提高了6至80倍，因此600 V SiC-MOSFET的溝道電阻僅為現有產品的1/6以下。當與其他電阻元件結合時，整個SiC MOSFET的導通電阻可以降低一半左右，因此在額定電流相同的情況下，芯片尺寸可以減半，這將降低約60%的成本。