據分析，雖然GaN功率器件在汽車市場的滲透率較低，但未來幾年它的復合年增長率將達到185%。

為此，眾多氮化鎵企業已經在奔赴汽車賽道（.點這里.）。近日，又有3家氮化鎵企業瞄準汽車市場，推出了3項新技術。

CGD：

GaN  HEMT柵壓高達20V

4月6日，Cambridge GaN Devices ( CGD )公開介紹了他們的 ICeGaN技術 ，他們首條采用ICeGaN技術的 產品線 將于2022年上半年發布。

據CGD業務發展副總裁 Andrea Bricconi 介紹，傳統的GaN HEMT器件，柵極驅動困難、研發耗時且成本高昂，柵極電壓還被限制在6-7V左右。而CGD的結合了Cascode和eMode氮化鎵的優勢，具有3V閾值電壓，并且柵極電壓可以擴展到大約20V。

因此他們的GaN器件具有2個優勢：

● 易于使用：GaN HEMT 可以輕松連接到驅動器和控制器。

● 節省成本：不需要額外的組件、電壓鉗位或昂貴的柵極驅動器。

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Bricconi 透露，他們正在牽頭GaNext等國際項目，GaNext 項目旨在開發適用于車載充電器 (OBC)、光伏逆變器等領域的氮化鎵功率器件，“首批配備 GaN 晶體管的汽車將在2024年至2025年問世，使用GaN可以使OBC的功率密度翻倍。"

CGD估計，到2026年，全球功率 GaN 市場將增長到超過10億美元，這主要得益于電動汽車和混合動力汽車對更輕、更高效的電源以及更緊湊和更強大的OBC的需求。

Odyssey：

GaN實現700V耐壓

3月30日，Odyssey Semiconductor官網宣布，他們成功開發了700V的垂直 GaN 功率場效應晶體管(FET) 技術。

 

據介紹，Odyssey 700V垂直氮化鎵器件，提供了1mOhm/cm2的極低導通電阻。這些器件表現出非常低的柵極泄漏，并且可以在它們“常關”的模式下運行。

Odyssey 首席執行官Rick Brown 說，“Odyssey 有望在2022年為少數客戶提供1200 V垂直 GaN FET。”

IVworks、應用材料：

開發1200V GaN

3月30日， IVworks 和應用材料公司簽署聯合開發協議，宣布共同開發 1200 V 氮化鎵功率半導體材料技術。

他們共同開發的1200V GaN外延片是用于電動汽車充電器的高壓外延片。據介紹，他們計劃采用8英寸和12英寸晶圓，來增加 GaN HEMT 器件數量。

IVworks透露，他們將使用自產的混合薄膜設備 (MEB) 生產6英寸和8英寸外延片，并通過混合 MEB 設備監測 GaN 薄膜層的厚度，以此來提高產量。