近年來，因為傳統(tǒng)的晶體管微縮方法走向了末路，于是產(chǎn)業(yè)便轉(zhuǎn)向封裝尋求提升芯片性能的新方法。例如近日的行業(yè)熱點新聞《打破Chiplet的最后一道屏障，全新互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)UCIe宣告成立》，可以說把Chiplet和先進(jìn)封裝的熱度推向了又一個新高峰？

那么為什么我們需要先進(jìn)封裝呢？且看Yole解讀一下。

隨著前端節(jié)點越來越小，設(shè)計成本變得越來越重要。高級封裝 (AP) 解決方案通過降低成本、提高系統(tǒng)性能、降低延遲、增加帶寬和電源效率來幫助解決這些問題。

高端性能封裝平臺是 UHD FO、嵌入式 Si 橋、Si 中介層、3D 堆棧存儲器和 3DSoC。嵌入式硅橋有兩種解決方案：臺積電的 LSI 和英特爾的 EMIB。對于Si interposer，通常有臺積電、三星和聯(lián)電提供的經(jīng)典版本，以及英特爾的Foveros。EMIB 與 Foveros 結(jié)合產(chǎn)生了 Co-EMIB，用于 Intel 的 Ponte Vecchio。同時，3D 堆棧存儲器由 HBM、3DS 和 3D NAND 堆棧三個類別表示。

數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)、高性能計算和自動駕駛汽車正在推動高端性能封裝的采用，以及從技術(shù)角度來看的演變。今天的趨勢是在云、邊緣計算和設(shè)備級別擁有更大的計算資源。因此，不斷增長的需求正在推動高端高性能封裝的采用。

高性能封裝市場規(guī)模？

據(jù)Yole預(yù)測，到 2027 年，高性能封裝市場收入預(yù)計將達(dá)到78.7億美元，高于 2021 年的27.4億美元，2021-2027 年的復(fù)合年增長率為 19%。到 2027 年，UHD FO、HBM、3DS 和有源 Si 中介層將占總市場份額的 50% 以上，是市場增長的最大貢獻(xiàn)者。嵌入式 Si 橋、3D NAND 堆棧、3D SoC 和 HBM 是增長最快的四大貢獻(xiàn)者，每個貢獻(xiàn)者的 CAGR 都大于 20%。

由于電信和基礎(chǔ)設(shè)施以及移動和消費終端市場中高端性能應(yīng)用程序和人工智能的快速增長，這種演變是可能的。高端性能封裝代表了一個相對較小的業(yè)務(wù)，但對半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了巨大的影響，因為它是幫助滿足比摩爾要求的關(guān)鍵解決方案之一。

誰是贏家，誰是輸家？

2021 年，頂級參與者為一攬子活動進(jìn)行了大約116億美元的資本支出投資，因為他們意識到這對于對抗摩爾定律放緩的重要性。

英特爾是這個行業(yè)的最大的投資者，指出了35億美元。它的 3D 芯片堆疊技術(shù)是 Foveros，它包括在有源硅中介層上堆疊芯片。嵌入式多芯片互連橋是其采用 55 微米凸塊間距的 2.5D 封裝解決方案。Foveros 和 EMIB 的結(jié)合誕生了 Co-EMIB，用于 Ponte Vecchio GPU。英特爾計劃為 Foveros Direct 采用混合鍵合技術(shù)。

臺積電緊隨其后的是 30.5億美元的資本支出。在通過 InFO 解決方案為 UHD FO 爭取更多業(yè)務(wù)的同時，臺積電還在為 3D SoC 定義新的系統(tǒng)級路線圖和技術(shù)。其 CoWoS 平臺提供 RDL 或硅中介層解決方案，而其 LSI 平臺是 EMIB 的直接競爭對手。臺積電已成為高端封裝巨頭，擁有領(lǐng)先的前端先進(jìn)節(jié)點，可以主導(dǎo)下一代系統(tǒng)級封裝。

三星擁有類似于 CoWoS-S 的 I-Cube 技術(shù)。三星是 3D 堆棧內(nèi)存解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者之一，提供 HBM 和 3DS。其 X-Cube 將使用混合鍵合互連。

ASE 估計為先進(jìn)封裝投入了 20 億美元的資本支出，是最大也是唯一一個試圖與代工廠和 IDM 競爭封裝活動的 OSAT。憑借其 FoCoS 產(chǎn)品，ASE 也是目前唯一具有 UHD FO 解決方案的 OSAT。

其他OSAT 不具備在先進(jìn)封裝競賽中與英特爾、臺積電和三星等大公司并駕齊驅(qū)的財務(wù)和前端能力。因此，他們是追隨者。