前段時間，日本富士電機宣布投資38億擴大碳化硅產能（.點這里.），最近東芝半導體也宣布要擴產。

2月8日，東芝召開了經營戰略簡報會，宣布將分拆為2家公司，并出售非核心資產。同時，東芝還透露，將投資55億用于功率器件擴產，其中包括建設8英寸的碳化硅和氮化鎵生產線。

將建8吋化合物線

24年量產汽車碳化硅產品

據東芝器件與存儲總裁佐藤裕之介紹，2021-2025年他們將投資約2600億日元（ 約143億 人民幣）用于 擴產 ，其中未來5年將投資1000億日元（約55億人民幣），用于功率半導體的研發，屆時 硅功率半導體 的產能將是2020年的 1.7倍 。

此外，東芝還將計劃建設 8英寸 化合物半導體生產線，重點開發 SiC和 GaN器件 。

據東芝器件與存儲高級常務董事兼總工程師森誠一介紹，東芝計劃在2024年量產 車載充電器 用SiC MOSFET產品。“目前，SiC MOSFET成本高于硅基IGBT，但一旦SiC的技術更為完善，能夠降低成本，SiC MOSFET的采用率就會提高，我們也在加快布局。”

森誠一還詳細介紹了SiC和GaN產品的現狀和技術發展。

據了解，東芝已經量產了搭載耐壓 3.3kV SiC MOSFET 和 肖特基勢壘二極管的模塊產品 ，主要用于日本 鐵路逆變器 。

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為保障 鐵路碳化硅器件 的可靠性，森誠一認為采用低缺陷水平的碳化硅晶圓，同時需要在器件結構設計和測試技術方面進行優化。東芝主要是向 昭和電工 采購低缺陷的 SiC外延片 ，并于2021年9月與該公司簽訂了長期供應合同。

東芝未來的SiC器件將會采用一種所謂的 “in-process epi” 的外延生長工藝，該工藝是與NuFlare Technology（ 鈕富來 ）聯合開發。

GaN方面 ，東芝計劃在2023年開始提供結合 GaN和硅功率MOSFET的產品 。據說，東芝正在開發 第二代 GaN產品。

鈕富來：營收將達49億

東芝還介紹了 子公司鈕富來 的情況。

據了解，鈕富來將專注于電子束掩模光刻設備和 外延生長設備 。2025年鈕富來的業務營收將從2021年的410億日元（約22.59億人民幣）提高到890億日元（約49億人民幣）。

森誠一表示，鈕富來的 SiC和GaN外延生長設備 是一種獨特的方法，具有 低缺陷密度、高均勻性 和在薄膜上 高速成膜 的特點表面。“即使是8英寸晶圓，我們也可以保持很高的成膜速度，這將成為未來的主流，并可以實現與6英寸晶圓相同的產量。”