羅海輝:高功率容量壓接式IGBT關鍵技術







來源:功率半導體行業(yè)聯盟

會議PPT來源:清華大學能源互聯網創(chuàng)新研究院

羅海輝:高功率容量壓接式IGBT關鍵技術的圖1
羅海輝:高功率容量壓接式IGBT關鍵技術的圖2
羅海輝:高功率容量壓接式IGBT關鍵技術的圖3
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專家介紹

羅海輝:高功率容量壓接式IGBT關鍵技術的圖25

 羅海輝,博士,中國中車首席技術專家,現任株洲中車時代半導體有限公司常務副總經理兼研發(fā)中心主任。長期從事IGBT和碳化硅功率器件技術研發(fā)與產業(yè)化工作,帶領團隊構建全電壓系列IGBT產品技術平臺并為軌道交通、新能源汽車、工業(yè)和輸配電等領域提供功率半導體器件解決方案。入選“國家重點領域創(chuàng)新團隊”,核心參與項目“高壓大電流IGBT芯片關鍵技術及應用”并榮獲2019年國家技術發(fā)明獎二等獎(排名3/6),獲省部級科技獎5項,通過省部級科技成果鑒定4項。申請發(fā)明專利100余項,其中46項發(fā)明專利已授權。在國際會議、國內外核心期刊發(fā)表論文40余篇。

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