碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全面梳理
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照歷史進(jìn)程分為:第一代半導(dǎo)體材料(大部分為目前廣泛使用的高純度硅),第二代化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦),第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅和氮化鎵為代表。
碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)。
因其優(yōu)越的物理性能:高禁帶寬度(對(duì)應(yīng)高擊穿電場(chǎng)和高功率密度)、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率,有望成為未來最被廣泛使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料。
圖表來源:IHS Market
近年來新能源汽車驅(qū)動(dòng)碳化硅行業(yè)高速成長(zhǎng),較傳統(tǒng)的燃油汽車相比,新能源汽車半導(dǎo)體元器件功率更大,性能要求更高,用量幾倍于傳統(tǒng)燃油汽車。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方案,每輛新能源汽車使用的功率器件價(jià)值約700美元到1000美元。
隨著新能源汽車的發(fā)展,對(duì)功率器件需求量日益增加,成為功率半導(dǎo)體器件新的增長(zhǎng)點(diǎn)。使用碳化硅襯底材料,為新能源汽車節(jié)省大量成本。
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈
半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈也可分為三個(gè)環(huán)節(jié):分別是上游襯底,中游外延片和下游器件制造。
圖表來源:中信證券
碳化硅上游 -- 襯底
碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,長(zhǎng)晶難度大,技術(shù)壁壘高,毛利率可達(dá)50%左右。
已經(jīng)過外延生長(zhǎng)、器件制造等環(huán)節(jié),可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件。晶片尺寸越大,對(duì)應(yīng)晶體的生長(zhǎng)與加工技術(shù)難度越大。
碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈:
圖表來源:天科合達(dá)招股說明書
襯底常用Lely法制造,國際主流采用6英寸晶圓,正向8英寸晶圓過渡;國內(nèi)襯底以4英寸為主,主要用于10A以下小電流產(chǎn)品。
全球碳化硅市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷局面,歐美日企業(yè)領(lǐng)先美國全球獨(dú)大,全球SiC產(chǎn)量的70%~80%來自美國公司。
海外碳化硅單晶襯底企業(yè)主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日鐵住金、Norstel等。
其中CREE、II-VI等國際龍頭企業(yè)已開始投資建設(shè)8英寸碳化硅晶片生產(chǎn)線。
國內(nèi)企業(yè)也在積極研發(fā)和探索碳化硅器件的產(chǎn)業(yè)化,已經(jīng)形成相對(duì)完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈體系。
中國企業(yè)在單晶襯底方面以4英寸為主,目前已經(jīng)開發(fā)出了6英寸導(dǎo)電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底。
以天科合達(dá)和山東天岳為主的SiC晶片廠商發(fā)展速度較快,市占率提升明顯。三安光電在SiC方面也在深度布局。
山東天岳、天科合達(dá)、河北同光、中科節(jié)能均已完成6英寸襯底的研發(fā),中電科裝備研制出6英寸半絕緣襯底。
華潤(rùn)微擁有3條6英寸產(chǎn)線和一條正在建設(shè)的12英寸產(chǎn)線,并擁有國內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。
露笑科技2020年引進(jìn)碳化硅重磅研發(fā)團(tuán)隊(duì)并聯(lián)合合肥政府共同投資碳化硅。
碳化硅中游 -- 外延
同時(shí)從事外延生長(zhǎng)和器件制作的企業(yè)包括中電科五十五所、中電科十三所和三安集成等。
碳化硅下游 -- 器件
碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈公司梳理:
Yole預(yù)計(jì)2025年碳化硅射頻器件全球市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)250億美元,2023年碳化硅功率器件全球市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)14億美元。
在未來的10年內(nèi),碳化硅器件有望大范圍地應(yīng)用于工業(yè)及電動(dòng)汽車領(lǐng)域。
資料來源:Yole, 中信建投
碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域
根據(jù)Yole和CREE預(yù)測(cè),受益5G的普及與5G基站的建設(shè),碳化硅基氮化鎵外延功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從2018年6.45億美金增長(zhǎng)到2024年的20億美金,年均復(fù)合增速達(dá)20.76%,2027年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到35億美金。
隨著政策不斷扶持和資金助力,國內(nèi)電子企業(yè)有望在高技術(shù)含量和高附加值環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)更多技術(shù)突破,加速國產(chǎn)化替代進(jìn)程,產(chǎn)業(yè)鏈整體具備廣闊的成長(zhǎng)空間。
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