來源：碳化硅芯觀察

第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電力電子行業(yè)帶來了革新，基于其高速，小體積，低功耗越來越廣泛應(yīng)用在汽車、工業(yè)級消費(fèi)電子行業(yè)。

我們先來看看不同技術(shù)的功率器件的區(qū)別，下圖可以看到傳統(tǒng)的Si基的IGBT或者M(jìn)OSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間，要么分布在低壓高速的區(qū)間，市面上傳統(tǒng)的探測技術(shù)可以覆蓋器件特性的測試需求。但是第三代半導(dǎo)體器件SiC 或GaN的技術(shù)趨于成熟，因?yàn)槠涓咚?，高耐壓，抗高溫，體積小，低功耗被越來越多的應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品上，從性能區(qū)別于傳統(tǒng)Si基的功率器件卻大大擴(kuò)展了分布的區(qū)間，覆蓋以往沒有出現(xiàn)過的高壓高速區(qū)域，這就對器件的測試提出非常嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

下文是重慶大學(xué)曾正教授在今年演講文稿，非常清晰的解釋了SiC

器件開關(guān)動(dòng)態(tài)測試的一系列挑戰(zhàn)及應(yīng)對方法，希望對各位朋友的日常工作有

幫助！

曾正：

重慶大學(xué)副教授，博士生導(dǎo)師，主要研究方向?yàn)镾iC功率器件的封裝集成與系統(tǒng)應(yīng)用，獲教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)、北京市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、GE基金會科技創(chuàng)新獎(jiǎng)，入選中國高被引學(xué)者、全球前2%頂尖科學(xué)家、重慶英才青年拔尖人才。