市場 | 碳化硅二極管國產替代按下“快進鍵
瀏覽:2540
肖特基二極管,又稱熱載流子二極管,通過金屬和半導體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘,實現整流。與普通PN結二極管相比,肖特基二極管的反向恢復慣性非常低。因此,肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
(圖片來源于網絡)
因此SiC二極管在金牌電源、UPS電源、服務器電源等領域得到了大量應用,功率等級從幾百瓦到幾千瓦。使用的SiC產品規模主要是650V /6A、8A、10A、16A。
2.國產器件實現進口替代的第一步
眾所周知,在電源等部分市場中,國產器件目前市占率已擁有較大比例。
下圖就是SiC二極管在電源產品中的典型應用。650V的二極管產品一般采用TO-220的封裝,通過絕緣片隔離,固定在電路中的散熱片上,以實現良好的散熱。
在這兩個市場的應用中,國產器件使用率也正在逐年上升。目前國產的SiC產品主要以SiC二極管為主,各大國產碳化硅器件的供應商也都在加快這兩個市場的產品驗證與可靠性提升。下面給大家匯總分享下各國產碳化硅企業的二極管產品及市場情況:
基本半導體
前不久,基本半導體在創新日上,發不了最新的第三代碳化硅肖特基二極管產品。
-
更高電流密度、更低Qc:第三代二極管具有更高電流密度、更低Qc,使其在真實應用環境中開關損耗更低。 -
更強浪涌能力:通過工藝及設計迭代優化,第三代二極管實現了更高的浪涌能力。 -
更低成本:更高的電流密度帶來更小的芯片面積,使得器件成本較前兩代二極管進一步降低。 -
更高產量: 使用6英寸晶圓平臺,單片晶圓產出提升至4英寸平臺產出2倍以上。
技術鄰APP
工程師必備
工程師必備
- 項目客服
- 培訓客服
- 平臺客服
TOP




















