• 原因1：早些年，芯片的生產(chǎn)制作工藝也許還不能夠?qū)⒕д褡鲞M芯片內(nèi)部，但是現(xiàn)在可以了。這個問題主要還是實用性和成本決定的。

• 原因2：芯片和晶振的材料是不同的，芯片 (集成電路) 的材料是硅，而晶體則是石英 (二氧化硅)，沒法做在一起，但是可以封裝在一起，目前已經(jīng)可以實現(xiàn)了，但是成本就比較高了。

• 原因3：晶振一旦封裝進芯片內(nèi)部，頻率也固定死了，想再更換頻率的話，基本也是不可能的了，而放在外面，就可以自由的更換晶振來給芯片提供不同的頻率。

  有人說，芯片內(nèi)部有PLL，管它晶振頻率是多少，用PLL 倍頻/分頻不就可以了。那么這又回到成本的問題上來了，100M的晶振集成到芯片里，但我用不了那么高的頻率，只想用10M的頻率，那我為何要去買你集成了100M晶振的芯片呢，又貴又浪費。

ii）分別重映射OSC_IN和OSC_OUT至PD0和PD1，再配置PD0和PD1為推挽輸出并輸出'0'。此方法可以減小功耗并(相對上面i)節(jié)省2個外部電阻。

• HSI：高速內(nèi)部時鐘信號STM32單片機內(nèi)帶的時鐘 (8M頻率), 精度較差。

• HSE：高速外部時鐘信號，精度高。來源有HSE外部晶體/陶瓷諧振器(晶振)、HSE用戶外部時鐘。

• LSE：低速外部晶體32.768kHz主要提供一個精確的時鐘源 一般作為RTC時鐘使用。