干貨|DC-DC的PCB設(shè)計(jì)需要注意哪些點(diǎn)?
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1. Bad layout
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EMI,DC-DC的SW管腳上面會(huì)有較高的dv/dt, 比較高的dv/dt會(huì)引起比較大的EMI干擾; -
地線噪聲,地走線不好,會(huì)在地線上面會(huì)產(chǎn)生比較大的開關(guān)噪聲,而這些噪聲會(huì)影響到其它部分的電路; -
布線上產(chǎn)生電壓降,走線太長,會(huì)使走線上產(chǎn)生壓降,而降低整個(gè)DC-DC的效率;
2. 一般原則
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開關(guān)大電流回路盡量短; -
信號(hào)地和大電流地(功率地)單獨(dú)走線,并在芯片GND處單點(diǎn)連接;
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電感盡量靠近SW管腳; -
輸入電容盡量靠近VIN管腳; -
輸入輸出電容的地盡量靠近PGND腳; -
使用鋪銅的方式走線;
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走線過細(xì)過長會(huì)增大阻抗,大電流在此大阻抗上會(huì)產(chǎn)生比較高的紋波電壓; -
走線過細(xì)過長會(huì)增大寄生電感,此電感上耦合開關(guān)噪聲,影響DC-DC穩(wěn)定性,造成EMI問題; -
寄生電容和阻抗會(huì)增大開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,影響DC-DC效率;
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大電流地:L,Cin,Cout,Cboot連接到大電流地的網(wǎng)絡(luò); -
小電流地:Css,Rfb1,Rfb2單獨(dú)連接到信號(hào)地的網(wǎng)絡(luò);
3. 實(shí)例
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輸入電容,高邊MOS管,和續(xù)流二極管形成的開關(guān)回路盡可能小和短; -
輸入電容盡可能靠近Vin Pin腳; -
確保所有反饋連接短而直接,反饋電阻和補(bǔ)償元件盡可能靠近芯片; -
SW遠(yuǎn)離敏感信號(hào),如FB; -
將VIN、SW,特別是GND分別連接到一個(gè)大的銅區(qū),以冷卻芯片,提高熱性能和長期可靠性;
4. 小結(jié)一下
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