據日本科技媒體報道，AIST開發了一項高速SiC晶片拋光技術，可以將速度提升12倍，大幅降低成本，該技術即將導入6英寸SiC晶圓的集成加工工藝中：

▲速度更快：傳統轉速50 rpm，新技術達到700rpm。

▲多片拋光：傳統方式只能單片研磨，新技術可以同時多片加工。

▲節省材料：不需要研磨液，只需要水。

速度提升12倍！

高速SiC晶片拋光成本更低

前段時間（8月份）， 日本產業技術綜合研究所（AIST） 宣布，他們開發了一項SiC晶片高速拋光技術。 據介紹，這項技術的鏡面拋光速度比以往快12倍，因此可以大幅縮減SiC晶片加工時間， 降低成本 。

圖：高速拋光的6英寸碳化硅晶片外觀。

AIST是如何做到的呢？

由于SiC晶片是一種高剛性且脆性的材料，為此迄今為止，即使采用金剛石研磨液進行拋光也無法提高研磨速度，因為研磨液會產生摩擦熱。目前，主要是通過研磨進行單晶片加工，直至實現鏡面加工（表面粗糙度Ra≈1 nm），但生產效率不高。

為了加快拋光過程，AIST聯合瑞穗和富士越機械工業開發了新的SiC晶片拋光技術，該技術采用了2種設備：瑞穗將金剛石磨石成型為平臺，制成了固定磨粒平臺；同時結合了富士越制造的高速高壓研磨裝置。

圖：瑞穗的固定磨粒平臺和富士越的高速高壓拋光裝置。

結果證實，當使用固定磨粒平臺時，即使在700rpm時平臺旋轉速度也與拋光速度成正比。而且，新技術的拋光速度比使用研磨液（負載200 g/cm2，轉速50 rpm）的典型加工條件快約 12倍。

同時，采用新技術，拋光后的SiC晶片Ra約為0.5 nm，實現了與傳統鏡面研磨工藝相同的表面質量。而傳統金屬平臺和漿料加工，平臺轉速超過200rpm時拋光質量就達到極限。

而且，與使用漿料的拋光技術不同，這種高速拋光技術只使用水作為處理液，所以環境負荷極小。它的另一個優點是可以在控制供水量和冷卻平臺的同時，確保拋光效率。

此外，由于該技術是通過加工壓力和平臺的轉數來控制加工速度，因此可以同時加工多個 SiC晶片。結果，可以同時實現高速處理和成本降低。