昨天，昭和電工宣布，將籌集近65億人民幣，進行碳化硅等半導體材料擴產(chǎn)。

據(jù)“三代半風向”了解，此前昭和電工已經(jīng)通過6次擴產(chǎn)，將產(chǎn)能提升了6倍，而這次擴產(chǎn)或與碳化硅需求升溫有關。此前，它與英飛凌和日本電裝都簽署了多年供貨協(xié)議。

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投資3.4億擴產(chǎn)

滿足英飛凌、電裝需求？

根據(jù)昭和電工8月23日發(fā)布的公告，他們發(fā)行3519萬股新股，以將籌得1093億日圓（約64.56億人民幣）資金，其中約700億日圓（約41.35億人民幣）將用于擴增SiC晶圓等半導體材料產(chǎn)能。

從昭和電工公布的計劃投資細則來看，用于碳化硅晶圓等方面擴產(chǎn)的資金約為58億日圓（3.4億人民幣），擴產(chǎn)項目預計2023年12月完工。

昭和電工這次擴產(chǎn)，將能夠更好地滿足供貨需求。

今年5月6日，昭和電工與英飛凌簽訂了碳化硅供應合同，合同期為兩年，將為英飛凌提供包括外延在內(nèi)的各種碳化硅材料（.點這里.）。

2020年12月10日，昭和電工宣布，日本電裝公司已經(jīng)將其6英寸碳化硅外延片應用在燃料電池電動汽車(FCEV) 升壓電源模塊。

新日鐵助力

外延缺陷減少一半

英飛凌和電裝公司之所以跟昭和電工合作，主要是看中其SiC外延片的質(zhì)量。

據(jù)介紹，2005年昭和電子就開始研發(fā)SiC外延片，2013年10月還率先推出了6英寸SiC外延片，2017年月產(chǎn)銷3000片外延片。

昭和電子的SiC外延片質(zhì)量大幅提升得益于一次收購。

2017年8月，新日鐵住金公司遭遇經(jīng)濟危機，想剝離SiC業(yè)務，于是昭和電工就出資收購了PVT法碳化硅長晶相關資產(chǎn)（.點這里.）。

收購后，2019年8月，昭和電工正式量產(chǎn)了第一代具有極低缺陷密度的SiC外延片“HGE-2G” ，其直徑為6英寸，表面缺陷密度控制是上一代外延片HGE的一半。此外，HGE-2G的基面位錯（BPD）轉(zhuǎn)換率也比HGE提高了10倍以上，成功提高了SiC功率半導體的可靠性。

昭和電工擴充6倍產(chǎn)能

1-8月全球涌現(xiàn)8大擴產(chǎn)案

據(jù)了解，從2012年至2019年，昭和電工已經(jīng)先后6次進行了碳化硅擴產(chǎn)，截至2019年其碳化硅外延片產(chǎn)能為9000片/月，相比2012年增長了6倍。

隨著市場需求越來越明朗，碳化硅擴產(chǎn)已成為確實。除了Cree在2019年宣布投資65億擴產(chǎn)30倍產(chǎn)能外，據(jù)“三代半風向”統(tǒng)計，今年1-8月全球還有8大擴產(chǎn)案，羅姆、意法半導體、SK集團等企業(yè)的擴產(chǎn)動作都很大。

來源：《第三代半導體調(diào)研白皮書》