從 3G 到 5G 的演進過程當中，信號的調制方式都在不斷演進，這就讓氮化鎵逐漸成為了行業關注的重點。

氮化鎵帶來的優勢，例如：使得氮化鎵的成本有了大幅度的下降，可靠性和高效率也有所提升，這是以前的 LDMOS 或砷化鎵等工藝器件所不具備的。

先看 PA 方面，氮化鎵能帶來的提升包括三個方面，具體來看一下吧。

一．能支持更高信號帶寬

這是由氮化鎵的低寄生容性和高阻等特性決定的；

二．具備更高的效率

這是由其低射頻損耗帶來的；

三．可以輸出更高的功率。

在高頻段、寬帶寬的應用下，想要在提高功率的同時保持更好的線性，對器件要求相當大，而氮化鎵的特性，讓它們能輕易應對這種挑戰。

和傳統的砷化鎵器件相比較，在同樣條件下，氮化鎵的壽命和使用時間都比砷化鎵高很多。

在器件節溫來看，氮化鎵器件的表現比砷化鎵器件高很多。

從 5G 基站的需求看來，他們要求器件能支持更多的頻段，同時還能做到小型化，這在毫米波時代需要 128T 甚至 256T 的天線陣列的前提下，更是必須的；此外，硬件成本也是限制 5G 基站發展的一個重要因素；最后，功耗也是運營商需要考量的一個關鍵。

從天線角度看，如圖所示，天線陣列應該采用鍺化硅工藝制造。但采用這種工藝設計的天線，輸出功率大不了。因為一旦功率過高，器件的效率就達不到。這就意味著在同樣的 EIRP 的情況下，所需的天線路數更多。來到砷化鎵方面，功率則可以做到相對高一點。氮化鎵則可以做到更高。

現在清楚為什么是未來行業的重點了吧，以上內容摘錄自Qorvo 基礎建設事業部高級銷售經理Kevin He 的《基于5G 基站的毫米波技術和解決方案》。想了解更多內容，請點擊 閱讀原文 。