7月22日，OPPO又一次為GaN帶貨，這次不是應(yīng)用在充電頭，而是替代硅基MOSFET，首次將GaN應(yīng)用手機內(nèi)部電路。

2020年 消費類 GaN功率器件 市場翻了一番，達(dá)到 2870萬美元（約1.86億人民幣） 。這與OPPO的推動不無關(guān)系，它是 首家采用氮化鎵 手機充電器的國內(nèi)廠商，其作用可能相當(dāng)于特斯拉對碳化硅的拉動。

此外，OPPO還 入股了2家氮化鎵芯片 企業(yè)。

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替代2顆硅MOS
 GaN讓快充更安全

最近，GaN快充都在比拼更高功率、更小尺寸，而OPPO跳出這個邏輯，再次強調(diào)充電安全。

這次GaN依舊是OPPO的殺手锏，但不是將它用在充電頭，而是首次將GaN應(yīng)用在手機內(nèi)部的 充電保護(hù)電路 。

 手機充電功率越來越大，電池保護(hù)電路必不可少。傳統(tǒng)鋰電池保護(hù)電路是由2個硅MOSFET、1個控制集成電路外加一些電阻電容元件組成。隨著手機充電功率達(dá)到200W，電池端的電流達(dá)到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導(dǎo)熱措施來為其散熱。

而OPPO這次的手機充電保護(hù)電路有了新的創(chuàng)新——用1顆GaN代替2顆硅MOS，由于GaN具備低阻抗優(yōu)勢，可以大幅降低電流在保護(hù)板上的損耗，因此這個方案具備多個優(yōu)勢：

一是可以無需導(dǎo)熱材料，降低快充過程中的發(fā)熱。

二是一顆替代兩顆，可以為越來越擁擠的手機電路板節(jié)省更多空間。

三是節(jié)省成本，雖然目前GaN器件成本比硅MOS略高，但一顆替代兩顆，成本下降更加明顯，而且芯片SMT貼片費用對應(yīng)降低，攤薄了應(yīng)用成本壓力，提高了生產(chǎn)效率。

率先推動GaN快充
入股2家GaN企業(yè)

據(jù)“三代半風(fēng)向”了解，OPPO非常熱衷GaN技術(shù)的應(yīng)用探索，除了電池保護(hù)電路外，它也是率先將GaN應(yīng)用在充電頭的國內(nèi)企業(yè)。

早在2019年，OPPO發(fā)布65W的SuperVOOC2.0充電器，這個產(chǎn)品使用了GaN，這也是GaN首次進(jìn)入主流消費應(yīng)用。

OPPO表示，引入GaN高頻開關(guān)，使變壓器單次儲能需求變小，進(jìn)而減小了變壓器體積，縱向空間減小了50%。

去年OPPO發(fā)布了125W超級閃充，借助GaN，不僅20分鐘可以將4000mAh電池容量的手機完全充滿，還可以將充電溫度控制在40℃以下。

從2020年OPPO的芯片布局也可以看出它對GaN的重視。

2020年以來，OPPO在半導(dǎo)體領(lǐng)域已投資超8家企業(yè)，其中包括2家GaN相關(guān)企業(yè)——南芯半導(dǎo)體和威兆半導(dǎo)體。

2018年OPPO與南芯半導(dǎo)體簽訂VOOC閃充知識產(chǎn)權(quán)許可協(xié)議。合作2年后，OPPO入股南芯，持股比例4.3999%。據(jù)介紹，南芯率先實現(xiàn)了GaN控制芯片的自主可控，成功量產(chǎn)了集成GaN直驅(qū)的控制器。

今年3月5日，OPPO入股了深圳市威兆半導(dǎo)體有限公司。據(jù)介紹，威兆公司曾推出了一款GaN芯片。

未來，GaN快充將發(fā)展得更為迅速，據(jù)YOLE預(yù)測，2026年消費類氮化鎵功率器件市場營收將達(dá)到6.72億美元（43.57億人民幣），相比2020年增長2241%。