部分簡單封裝的MOSFET/IGBT/LED都可以通過雙熱阻模型進行描述，但隨著多疊層和多核的封裝技術的出現，封裝的熱模型變的越來越復雜，簡單的雙熱阻模型已經不能準確的描述該類芯片了。如何通過JEDEC測試環境得到雙熱阻模型，以及通過詳細模型提取Delphi和降階模型變的尤為重要。

通過該課程你可掌握LED器件光功率和熱功率的計算；常規封裝芯片的Icepak參數化建模和SpaceClaim建模過程；封裝熱測試標準JEDEC JESD 51以及封裝熱模型Delphi和降階模型的提取。

1、IC/LED熱功率的估算

（1）一般IC的熱功率計算

（2）發光器件LED熱功率計算

2、封裝芯片的建模

（1）IcepakGUI參數化建模

（2）SpaceClaim建模&Icepak導入

3、封裝芯片的熱測試

（1）JEDEC封裝熱模型

（2）JEDEC熱阻測試規范

（3）簡單封裝熱阻測試

4、高級熱模型提取

（1）Delphi熱模型提取

（2）降解模型

熱設計和電子熱設計工程師

三、課程時間

7月30日（周五）9:30-17:00

嚴國鑫

Ansys資深流體工程師

陽普科技金牌講師

2015年碩士畢業于中國民航大學航空動力專業。擁有多年CFD仿真工作經驗，熟悉電子半導體散熱、旋轉機械、燃燒、多孔介質等流體仿真應用，目前在陽普科技擔任Ansys流體工程師一職，負責Ansys流體產品的售前/售后技術支持以及仿真項目咨詢工作，擁有較為豐富的仿真培訓經驗和工程項目仿真經驗。

2200元/人（前10名免費報名）

1、本次課程提供免費午餐

2、課程需自帶電腦（系統要求：windows10，64位）

3、報名截止時間為7月29日17:00

八、報名鏈接

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