大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是國家的命脈產(chǎn)業(yè),然而其核心材料、器件、設(shè)備幾乎全部依賴進口。據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示,全球半導(dǎo)體材料的市場需求超400億美元,中國地區(qū)的需求占到了全球需求的50%以上,超200億美元。目前有32%的半導(dǎo)體關(guān)鍵材料在我國仍為空白,70%左右依賴進口


以下是半導(dǎo)體材料進口替代的市場空間數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)顯示,半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率普遍偏低,進口替代空間巨大


表1 半導(dǎo)體材料進口替代市場數(shù)據(jù)

大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖1

Source:公開資料整理


半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多,在制造過程中需要大量的半導(dǎo)體材料和設(shè)備。以下以最為復(fù)雜的晶圓制造(前道)和傳統(tǒng)封裝(后道)工藝為例,說明制造過程所需要的材料和設(shè)備。


圖1 半導(dǎo)體產(chǎn)品制作流程

大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖2

Source:來源于網(wǎng)絡(luò)公開資料,新材料在線?制圖


按照產(chǎn)業(yè)鏈的邏輯,半導(dǎo)體材料主要分為襯底材料(單晶硅、氮化硅等)、工藝材料(包括光刻膠、掩膜版、工藝化學(xué)品、電子氣體、拋光材料、靶材)以及封裝材料三大板塊。其中襯底材料、工藝材料和封裝材料比例約為1:2:2。新材料在線?選取了8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料進行了解析。



大硅片

大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖3
Source:圖蟲創(chuàng)意

硅片也稱硅晶圓,是制造半導(dǎo)體芯片最重要的基本材料,其最主要的原料為單晶硅。硅片直徑越大,其所能刻制的集成電路則越多,芯片的成本也隨之降低。大尺寸硅片對技術(shù)的要求很高,良品率極低,企業(yè)進入壁壘極高,全球大硅片市場形成寡頭壟斷的競爭格局。目前中國大陸自主生產(chǎn)的硅片以6英寸(150mm)為主,產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域仍然是光伏和低端分立器件制造,8英寸(200mm)和12英寸(300mm)的大尺寸集成電路級硅片依然嚴重依賴進口。

▉ 全球大硅片產(chǎn)業(yè)競爭格局 

集成電路用硅片是制造技術(shù)門檻極高的尖端高科技產(chǎn)品,全球只有大約10家企業(yè)能夠制造,市場基本被日韓廠商壟斷。

表2 全球知名大硅片制造企業(yè)競爭格局及主營產(chǎn)品
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖4
Source:公開資料整理

▉ 國內(nèi)大硅片知名企業(yè)布局 

表3 2018年中國大尺寸硅片在建產(chǎn)能
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖5
Source:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院


光刻膠


大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖6
Source:新材料在線?

光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一,其成本約占整個芯片制造工藝的30%,耗費時間約占整個芯片制造工藝的40%-60%,是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。

目前國內(nèi)光刻膠自給率僅10%,主要集中于技術(shù)含量相對較低的PCB領(lǐng)域。6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%,8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%,12寸硅片的ArF光刻膠目前尚無國內(nèi)企業(yè)可以大規(guī)模生產(chǎn)。


▉ 全球光刻膠產(chǎn)業(yè)競爭格局 ▉

表4 全球光刻膠知名企業(yè)競爭格局
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖7
Source:公開資料整理

▉ 國內(nèi)光刻膠知名企業(yè) ▉

表5 光刻膠國內(nèi)化情況
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖8
Source:產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、國海證券研究院


高純?yōu)R射靶材

利用離子源產(chǎn)生的離子轟擊固體表面,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體稱為濺射靶材, 是集成電路制造過程中的關(guān)鍵材料,根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域,分為半導(dǎo)體靶材、面板靶材、光伏靶材等。高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大,在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的企業(yè)數(shù)量呈現(xiàn)金字塔型分布,半導(dǎo)體濺射靶材行業(yè)集中度很高,前五大廠商占比超過80%。具有規(guī)?;a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對較少,主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。

▉ 全球靶材產(chǎn)業(yè)企業(yè)競爭格局 ▉

表6 全球靶材知名企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖9
Source:公開資料整理

▉ 國內(nèi)靶材知名上市企業(yè) ▉

表7 國內(nèi)靶材知名上市公司
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖10
Source:公開資料整理


碳化硅單晶

大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖11
Source:圖蟲創(chuàng)意

碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包含單晶材料、外延材料、器件、模塊和應(yīng)用這幾個環(huán)節(jié)。碳化硅單晶是碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),質(zhì)量、大尺寸的碳化硅單晶材料是碳化硅技術(shù)發(fā)展首要解決的問題,持續(xù)增大晶圓尺寸、降低缺陷密度(微管、位錯、層錯等)是其重點發(fā)展方向

碳化硅單晶材料主要有導(dǎo)通型襯底和半絕緣襯底兩種, 是第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)成熟度最高的材料,目前基本被國外企業(yè)壟斷。

高導(dǎo)通型襯底材料是制造碳化硅功率半導(dǎo)體器件的基材。半絕緣襯底具備高電阻的同時可以承受更高的頻率,因此在5G通訊和新一代智能互聯(lián),傳感感應(yīng)器件上具備廣闊的應(yīng)用空間。

▉ 全球氮化硅單晶產(chǎn)業(yè)競爭格局 ▉

表8 全球碳化硅單晶知名企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖12
Source:公開資料整理

▉ 國內(nèi)氮化硅單晶知名企業(yè) ▉

國內(nèi)主要碳化硅單晶襯底材料企業(yè)和研發(fā)機構(gòu)已經(jīng)具備了成熟的4英寸零微管碳化硅單晶產(chǎn)品,并已經(jīng)研發(fā)出了6英寸單晶樣品,但是在晶體材料質(zhì)量和產(chǎn)業(yè)化能力方面距離國際先進水平存在一定差距。

表9 國內(nèi)碳化硅單晶知名企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖13
Source:公開資料整理


精細金屬掩模板

大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖14
Source:新材料在線?

精細金屬掩膜版(Fine Metal Mask,簡稱FMM)是OLED蒸鍍工藝中的消耗性核心零部件,主要材料是金屬或金屬+樹脂。其主要作用是在在OLED生產(chǎn)過程中沉積RGB有機物質(zhì)并形成像素,在需要的地方準確和精細地沉積有機物質(zhì),提高分辨率和良率。

如果需要制造高精度FMM,就需要更高級的INVAR合金(Super INVAR alloy)。現(xiàn)在市面上唯一能提供滿足FMM使用要求的Super INVAR alloy合金廠商是Hitachi Metals。目前國內(nèi)FMM材料處于初始研發(fā)階段,并不具備量產(chǎn)條件。

表10 FMM產(chǎn)業(yè)鏈競爭格局
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖15
Source:OLED industry


濕電子化學(xué)品

大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖16
Source:圖蟲創(chuàng)意

濕電子化學(xué)品指為微電子、光電子濕法工藝(主要包括濕法刻蝕、濕法清洗)制程中使用的各種電子化工材料,是集成電路工藝制程中的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料。不同線寬的集成電路制程工藝中必須使用不同規(guī)格的超凈高純試劑進行蝕刻和清洗,其關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)包括混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與其生產(chǎn)相配套的分析檢驗技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等、包裝技術(shù)等。在半導(dǎo)體濕化學(xué)品供應(yīng)商方面,市場份額主要掌握在歐美、日本、韓國等國家的企業(yè)手中,高端產(chǎn)品市場依賴進口

▉ 全球濕電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)競爭格局 ▉

在半導(dǎo)體濕化學(xué)品供應(yīng)商方面,市場份額主要掌握在歐美、日本、韓國等國家的企業(yè)手中,包括德國巴斯夫,美國亞什蘭化學(xué)、Arch 化學(xué),日本關(guān)東化學(xué)、三菱化學(xué)、京都化工、住友化學(xué)、和光純藥工業(yè),臺灣鑫林科技,韓國東友精細化工等,上述公司占全球市場份額的85%以上。

表11 全球濕電子化學(xué)品主要生產(chǎn)企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖17
Source:公開資料整理

▉ 國內(nèi)濕電子化學(xué)品知名企業(yè) ▉

濕電子化學(xué)品領(lǐng)域與國外尚有較大差距,高端市場主要集中在美、日、歐等少數(shù)大廠商手中,比如在對電子化學(xué)品純度等級要求較高的半導(dǎo)體和平板顯示領(lǐng)域,我國內(nèi)資企業(yè)市場占有率僅達到 25%左右。

表12 國內(nèi)濕電子化學(xué)品知名企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖18
Source:公開資料整理


電子特種氣體

大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖19
Source:圖蟲創(chuàng)意

電子氣體是指用于半導(dǎo)體及相關(guān)電子產(chǎn)品生產(chǎn)的特種氣體,被廣泛應(yīng)用于國防軍事、航空航天、新型太陽能電池、電子產(chǎn)品等領(lǐng)域,是電子工業(yè)體系的核心關(guān)鍵原材料之一,市場準入條件高。其行業(yè)技術(shù)壁壘在于從生產(chǎn)到分離提純以及運輸供應(yīng)階段,一直受到歐美發(fā)達國家的技術(shù)封鎖。電子特種氣體行業(yè)集中度高,美電子特種氣體行業(yè)集中度高,美國氣體化工、美國普萊克斯、法國液化空氣、日本大陽日酸株式會社和德國林德集團五家公司壟斷全球特種氣體91%的市場份額。國內(nèi)企業(yè)主要集中在中低端市場

▉ 全球電子特種氣體產(chǎn)業(yè)競爭格局 ▉

表13 全球電子特種氣體知名企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖20
Source:semi

▉ 國內(nèi)電子特種氣體知名企業(yè) ▉

表14 國內(nèi)電子特種氣體知名企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖21
Source:公開資料整理


化學(xué)機械拋光(CMP)材料


大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖22
Source:新材料在線?

化學(xué)機械拋光(CMP)是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝,是通過化學(xué)作用和機械研磨的組合技術(shù)來實現(xiàn)晶圓表面微米/納米級不同材料的去除,從而達到晶圓表面的高度(納米級)平坦化效應(yīng)。拋光材料是 CMP 工藝過程中必不可少的耗材,具有技術(shù)壁壘高,客戶認證時間長的特點,一直以來處于寡頭壟斷的格局。根據(jù)功能的不同,拋光材料可劃分為拋光墊、拋光液、調(diào)節(jié)器、以及清潔劑等,主要以拋光液和拋光墊為主。全球芯片拋光液市場主要被在美國、日本、韓國企業(yè)所壟斷。全球 CMP 拋光墊幾乎全部被陶氏所壟斷,占據(jù)80%的市場。

 全球CMP材料產(chǎn)業(yè)競爭格局 ▉

全球芯片拋光液市場主要被美國、日本、韓國等企業(yè)壟斷,占全球高端市場份額90%以上。CMP拋光墊方面,陶氏杜邦占79%的市場份額。

表15 全球拋光材料知名企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖23
Source:公開資料整理

▉ 國內(nèi)CMP材料知名企業(yè) ▉

拋光液方面,目前中國在不銹鋼、鋁、鎢等中低端領(lǐng)域拋光液基本實現(xiàn)國產(chǎn)化。安集微電子率先在高品質(zhì)拋光液技術(shù)方面打破國外壟斷,進入晶圓拋光液領(lǐng)域。拋光墊方面,中國企業(yè)在高端拋光墊市場幾乎屬于空白,近年來鼎龍股份逐步取得突破。

表16 國內(nèi)拋光材料知名企業(yè)
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴進口的半導(dǎo)體材料大解析的圖24
Source:公開資料整理

來源:新材料在線
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