在一片文章中看到作者在做一款大電壓、大電流供電的產(chǎn)品，測(cè)試發(fā)現(xiàn)啟動(dòng)時(shí)的沖擊電流很大，最大達(dá)到了14.2A，見(jiàn)下圖示波器通道2的藍(lán)色波形：
▲ 通道4的綠色波形是采樣電阻的電壓
當(dāng)時(shí)作者沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)，不知道如何去解決。
后來(lái)同事指點(diǎn)說(shuō)，解決這個(gè)問(wèn)題需要增加緩啟動(dòng)電路，也叫軟啟動(dòng)電路。
同事繼續(xù)解釋道：
這個(gè)電路的供電是由一個(gè)PMOS控制通斷的，軟啟動(dòng)的設(shè)計(jì)是讓PMOS的導(dǎo)通時(shí)間變緩，電路上的做法是在PMOS的柵極和源極之間接一個(gè)合適的電容，PMOS的導(dǎo)通時(shí)間就會(huì)變緩了。
作者聽(tīng)了同學(xué)的解答之后，在PMOS的柵極和源極之間接了一個(gè)電容，發(fā)現(xiàn)開(kāi)機(jī)沖擊電流降下來(lái)了。
試了幾個(gè)不同容值的電容，對(duì)應(yīng)的效果不一樣。最后作者選了一個(gè)合適的電容換上去，電池的開(kāi)機(jī)沖擊電流降到了2.6A：
不過(guò)從作者的描述來(lái)看，差不多就是我之前寫(xiě)過(guò)的《帶軟開(kāi)啟功能的MOS管電源開(kāi)關(guān)電路》。只是電路參數(shù)有區(qū)別，能通過(guò)的電流、能承受的耐壓等不一樣，但是軟啟動(dòng)的原理是一樣的。
作為上面案例的補(bǔ)充，讓我們重溫一下MOS管電源開(kāi)關(guān)電路軟啟動(dòng)的原理。下面用來(lái)講解的電路，以5V的電壓為例，一般控制1A左右的電流的通斷，已經(jīng)大批量使用：
▲ 本文要講解的電路
電源開(kāi)關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。
本文要講解的電源開(kāi)關(guān)電路，是用MOS管實(shí)現(xiàn)的，且?guī)?
軟開(kāi)啟功能，非常經(jīng)典。
既然帶“軟”開(kāi)啟功能，不妨把這個(gè)電路理解為一個(gè)“軟”妹紙，讓咱們深入去了解她吧！
電源開(kāi)關(guān)電路，尤其是MOS管電源開(kāi)關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，如下框圖所示：
▲ 框圖中“1個(gè)MOS管符號(hào)”代表“1個(gè)完整的MOS管電源開(kāi)關(guān)電路”
在設(shè)計(jì)時(shí)，只要增加一個(gè)電容（C1），一個(gè)電阻（R2），就可以實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)啟（soft start）功能。
▲ 電容C1、電阻R2實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)啟（soft start）功能
軟開(kāi)啟，是指電源緩慢開(kāi)啟，以限制電源啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。
在沒(méi)有做軟開(kāi)啟時(shí)，電源電壓的上升會(huì)比較陡峭。
▲ 沒(méi)有做軟開(kāi)啟時(shí)，電源電壓上升沿比較陡峭
加入軟開(kāi)啟功能后，電源開(kāi)關(guān)會(huì)慢慢打開(kāi)，電源電壓也就會(huì)慢慢上升，上升沿會(huì)比較平緩。
▲ 加入軟開(kāi)啟功能，電源電壓上升沿比較平緩
浪涌電流可能會(huì)令電源系統(tǒng)突然不堪重負(fù)而掉電，導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。嚴(yán)重的可能會(huì)損壞電路上的元器件。
▲ 浪涌電流時(shí)常導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定，并可能損壞電路元器件
電源上電過(guò)快過(guò)急，負(fù)載瞬間加電，會(huì)突然索取非常大的電流。比如在電源電壓是5V，負(fù)載是個(gè)大容量電容的時(shí)候，電源瞬間開(kāi)啟令電壓瞬間上升達(dá)到5V，電容充電電流會(huì)非常大。如果同樣的時(shí)間內(nèi)電源電壓只上升到2.5V，那么電流就小得多了。下面從數(shù)學(xué)上分析一下。
同時(shí) 電量 = 電流 * 時(shí)間，即：
從公式可以看出，當(dāng)電容容量越大，電壓越高，時(shí)間越短，電流就會(huì)越大，從而形成浪涌電流。
大電容只是形成浪涌電流的原因之一，其他負(fù)載也會(huì)引起浪涌電流。
1、控制電源開(kāi)關(guān)的輸入信號(hào) Control 為低電平或高阻時(shí)，三極管Q2的基極被拉低到地，為低電平，Q2不導(dǎo)通，進(jìn)而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不導(dǎo)通，+5V_OUT 無(wú)輸出。電阻R4是為了在 Control 為高阻時(shí)，將三極管Q2的基極固定在低電平，不讓其浮空。
2、當(dāng)電源 +5V_IN 剛上電時(shí)，要求控制電源開(kāi)關(guān)的輸入信號(hào) Control 為低電平或高阻，即關(guān)閉三極管Q2，從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定，不能將電源打開(kāi)向后級(jí)電路輸出。此時(shí)等效電路圖如下：
此時(shí)電源 +5V_IN 剛上電，使MOS管G極與S極等電勢(shì)，即Vgs = 0，令Q1關(guān)閉。
3、電源 +5V_IN 上電完成后，MOS管G極與S極兩端均為5V，仍然Vgs = 0。
4、此時(shí)將 Control 設(shè)為高電平（假設(shè)高電平為3.3V），則：
-
①三極管Q2的基極為0.7V，可算出基極電流Ibe為：
(3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA
-
②三級(jí)管Q2飽和導(dǎo)通，Vce ≈ 0。電容C1通過(guò)電阻R2充電，即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V，導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。
-
③MOS管Q1的Vgs緩慢增大，令其緩慢打開(kāi)直至完全打開(kāi)。最終Vgs = -5V。
-
④利用電容C1的充電時(shí)間實(shí)現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開(kāi)（導(dǎo)通），實(shí)現(xiàn)了軟開(kāi)啟的功能。
MOS管打開(kāi)時(shí)的電流流向如下圖所示：
5、電源打開(kāi)后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時(shí)將 Control 設(shè)為低電平，三極管Q2關(guān)閉，電容C1與G極相連端通過(guò)電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關(guān)閉的效果。軟關(guān)閉一般不是我們想要的，過(guò)慢地關(guān)閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過(guò)程如下圖。
過(guò)慢地開(kāi)啟和關(guān)閉電源都可能導(dǎo)致電路系統(tǒng)異常，
這個(gè)MOS管電源開(kāi)關(guān)電路及其參數(shù)已經(jīng)過(guò)大批量使用驗(yàn)證，一般情況下可以直接照搬使用。
三、電路參數(shù)設(shè)定說(shuō)明
調(diào)整C1、R2的值，可以修改軟啟動(dòng)的時(shí)間。值增大，則時(shí)間變長(zhǎng)。反之亦然。
如果不想使用軟開(kāi)啟功能，直接不上件電容C1即可。
使用原理圖中所標(biāo)型號(hào)的MOS管（WPM2341A-3/TR），
通過(guò)的電流最好不要超過(guò)1.75A，留至少30%的余量，并且要注意散熱。余量是否足夠，跟MOS管的溫度有關(guān)，應(yīng)用時(shí)要注意做好實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
因?yàn)橄聢D中該MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)說(shuō)它超過(guò)
2.5A會(huì)損壞。
關(guān)于電路的學(xué)習(xí)，希望大家enjoy！
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