2020年東芝電子開發了新的SiC MOSFET結構，將可靠性提升了
10倍
。
昨天
，
東芝官網宣布，他們對該
結構進行
改良，
開發了3.3kV的SiC MOSFET。
據介紹，在不犧牲可靠性的同時，又將電流增加了1倍，將導通電阻降低了20%。該器件的樣品已于今年5月發貨。
插播：加入第三代半導體大佬群，請加微信：hangjiashuo666。
2020年7月，東芝宣布推出一種新的器件結構，將SiC MOSFET可靠性提高10倍以上。
碳化硅
可
廣泛應用
太陽能
光伏
和
工業
電源等
領域，但
目前
有2個“攔路虎”
——除了需要降低成本外，還需提高碳化硅器件的
可靠性。
據東芝解釋，當源漏之間的PN二極管通電時，會使SiC MOSFET帶電，造成導通電阻產生變動，進而有損于器件的可靠性。
為此，東芝開發了一種SBD嵌入式MOSFET結構，可在抑制導通電阻增大的同時，提升器件可靠性。
2
020年8月，東芝利用這項新技術量產了1.2kV的SiC MOSFET。
據介紹，該結構中有一個與電池單元內的PN結二極管平行設置的SBD，可防止PN結二極管帶電。相較于PN結二極管，內嵌SBD結構的通態電壓更低，因此電流會通過內嵌SBD，進而抑制導通電阻變化和MOSFET可靠性下降等問題。
圖2：傳統SiC MOSFET與新開發結構之間導通電阻波動的比較
從1.2kV到3.3kV
可靠性不變，電流提升1倍
盡管上述器件結構可以提升可靠性，但是也存在一個問題：
在175°C或更高的高溫環境中，
SiC MOSFET可傳導的電流量受到限制。
根據東芝6月23日消息，
他們
對該器件結構進行修改，開發了一款3.3kV的SiC MOSFET，結果是——電流水平是東芝現有結構的2倍以上，而且不會降低可靠性，其導通電阻也下降了20%。
據介紹，東芝通過2個改進措施來解決反向傳導電流量限制：一是將單元尺寸縮少了25%，二是優化了電流擴散層結構。
通常，當特性導通電阻降低時，與可靠性直接相關的指標——短路耐受性也會跟著降低，但是由于該器件結構經過改進，短路耐受性反而增加了25%（以1.2kV SiC MOSFET為例），而且也提高了可靠性。
根據測試結果，在175℃時，這種3.3kV SiC MOSFET的電流密度是東芝現有結構的2倍以上，而且可靠性不會損失。
在室溫下，該結構還可將3.3kV SiC MOSFET的特定導通電阻降低了約20%，將1.2kV SiC MOSFET的特定導通電阻降低了約40%。
獲取文獻，請加微信：hangjiashuo666。
