IGBT的并聯均流問題

  目前,國外單管IGBT的最大容量為2000A/2500V,實際的商品器件容量為1200A/2400V,根據大功率斬波的需要,通常,額定工作電流為400A——1500A,考慮到器件工作安全,必須留有2倍左右的電流裕度,再結合本文前述的 IGBT最大電流標稱問題,單一器件無法滿足要求,必須采用器件并聯。半導體器件并聯存在的均流問題是影響可靠性的關鍵,由于受離散性的限制,并聯器件的參數不可能完全一致,于是導致并聯器件的電流不均,此時的1+1小于2,特別是嚴重不均流時,通態電流大的器件將損壞,這是半導體器件并聯中老大難的問題,為此,要提高斬波包括其它電力電子設備的可靠性,應該盡量避免器件并聯,而采用單管大電流器件。
  從理論上講,IGBT在大電流狀態具有正溫度系數,可以改善均流性能,但是畢竟有限,加上可控半導體器件的均流還要考慮驅動一致性,否則,既使導通特性一致,也無法實現均流,這樣,就給 IGBT并聯造成了極大困難。
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