對于半導體器件，管芯溫度是最重要的可靠條件，幾乎所有的技術參數(shù)值都是在允許溫度(通常為120○——140○C)條件下才成立的，如果溫度超標，器件的性能急劇下降，最終導致?lián)p壞。
　　半導體器件的封裝形式是為器件安裝和器件散熱服務的。定額200A以上的器件，目前主要封裝形式有模塊式和平板壓接式兩種，螺栓式基本已經淘汰。
　　模塊式結構多用于將數(shù)個器件整合成基本變流電路，例如，整流、逆變模塊，具有體積小，安裝方便，結構簡單等優(yōu)點，缺點是器件只能單面散熱，而且要求底板既要絕緣又要導熱性能好(實現(xiàn)起來很困難)，只適用于中小功率的單元或器件。
　　平板式結構主要用于單一的大電流器件，是將器件和雙面散熱器緊固在一起，散熱器既作散熱又作電極之用。平板式的優(yōu)點是散熱性能好，器件工作安全、可靠。缺點是安裝不便，功率單元結構復雜，維護不如模塊式方便。
　　綜合利弊，當電流大于200A(尤其是500A以上)的半導體器件上首選平板式結構，已經是業(yè)內共識，只是 IGBT受管芯制作原理的限制，目前無法制造成大功率芯片，不能采用平板式結構，只好采用模塊式，雖然安裝方便，但散熱性能差不利于可靠性，這是不爭的事實。
　　IGBT從屬于晶體管，同樣存在高阻放大區(qū)，器件在作開關應用時，必然經過放大區(qū)引起發(fā)熱，這是包括 IGBT在內的晶體管在開關應用上遜色于晶閘管的原理所在。