78萬片/年!英諾賽科8寸氮化鎵線量產(chǎn),還宣布2件大事
近日,英諾賽科宣布蘇州8英寸氮化鎵項目正式量產(chǎn),達產(chǎn)后年產(chǎn)能為78萬片,形成2大生產(chǎn)基地,“做好了全面準備去迎接氮化鎵時代的到來。”
英諾賽科已經(jīng)成為全球氮化鎵出貨量Top3企業(yè),2020年4季度出貨量達數(shù)百萬顆,累計出貨量已超1500萬顆,已經(jīng)在快充、激光雷達和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了氮化鎵芯片的國產(chǎn)化替代。在嚴重“缺芯”的情況下,氮化鎵供貨周期高達280天,英諾賽科新工廠的量產(chǎn)將有效解決企業(yè)的燃眉之急。
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蘇州項目量產(chǎn)
年產(chǎn)能78萬片
經(jīng)過近3年的建設(shè),6月5日,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司舉行了量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式,正式宣布又一8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線量產(chǎn)。
英諾賽科成立于2015年,是全球領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè),早在2017年11月就在珠海建成投產(chǎn)全球首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線,蘇州項目量產(chǎn)后,英諾賽科將擁有兩個8英寸氮化鎵生產(chǎn)基地。
據(jù)介紹,2018年6月,英諾賽科蘇州項目正式落戶,生產(chǎn)基地建設(shè)也同期開工建設(shè)。2019年8月項目主廠房封頂,2020年9月,該項目舉行設(shè)備搬入儀式。
英諾賽科在量產(chǎn)儀式上表示,蘇州項目一期投資60億元,預(yù)計2021年實現(xiàn)產(chǎn)能可達6000片/月,全部達產(chǎn)后可年產(chǎn)78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓,年產(chǎn)值120億元,利稅15億元以上。
除了宣布生產(chǎn)線量產(chǎn)外,英諾賽科還舉行了“8英寸硅基氮化鎵芯片生產(chǎn)線一期第一階段產(chǎn)能擴展建設(shè)項目”簽約儀式,以及研發(fā)樓奠基儀式。
據(jù)了解,此次奠基的研發(fā)樓建筑面積達到3.5萬平方米,共10層,高50米,未來建成一座集合辦公、研發(fā)、餐廳三大功能區(qū)的標志性建筑,未來將有更多創(chuàng)新成果在此誕生。
英諾賽科被國家四部委列入重點支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè),是國內(nèi)第一個通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體項目。同時,作為蘇州市獨角獸培育企業(yè),英諾賽科承擔了多個國家部委及省相關(guān)部門的重點研發(fā)項目。
出貨量超1500萬顆
實現(xiàn)多領(lǐng)域國產(chǎn)替代
在量產(chǎn)儀式上,英諾賽科總經(jīng)理孫在亨表示,“基于氮化鎵的應(yīng)用將是半導(dǎo)體未來十年增長最快的領(lǐng)域,隨著英諾賽科蘇州工廠的成功量產(chǎn),我們已經(jīng)做好了全面準備去迎接氮化鎵時代的到來。”
據(jù)“三代半風(fēng)向”了解,在快充領(lǐng)域,英諾賽科氮化鎵功率器件已被魅族、努比亞、ROCK、飛頻、Lapo等多個品牌采用,并實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn),2020年4季度出貨已達數(shù)百萬顆。今年3月份,英諾賽科在會上表示,氮化鎵累計出貨量已經(jīng)超過1500萬顆,躋身全球前三甲。
英諾賽科是國內(nèi)較早家提供氮化鎵快充芯片的企業(yè),從而幫助了很多國內(nèi)終端企業(yè)解決了供應(yīng)鏈本土化采購難題。
根據(jù)東莞常平鎮(zhèn)融媒體中心報道,2019年我國GaN快充的核心芯片主要依賴進口,與國外氮化鎵企業(yè)合作的門檻很高。據(jù)東莞瑞亨電子業(yè)務(wù)經(jīng)理占勝介紹,當時美國一家氮化鎵主控芯片公司要求先付20萬美金才能提供資料。
為此,瑞亨電子在獲悉英諾賽科在研發(fā)氮化鎵芯片后,雙方一拍即合,決定做首款國產(chǎn)芯片的氮化鎵充電器。經(jīng)過半年的努力,2020年4月,瑞亨電子發(fā)布了65W 2C1A 氮化鎵充電器,其中氮化鎵功率器件芯片為英諾賽科公司所生產(chǎn)。氮化鎵芯片本土化采購化不僅幫助企業(yè)解決了產(chǎn)能問題,也提升了企業(yè)競爭力。“以往一款用美國芯片的65wGaN快充單價接近200元,現(xiàn)在國產(chǎn)化后單價不到100元。”
英諾賽科表示,氮化鎵進入快充等消費市場是邁好了第一步,但絕不是氮化鎵唯一有意義的應(yīng)用場景,由于英諾賽科積極建立完善氮化鎵生態(tài)體系,氮化鎵已經(jīng)在消費電子、工業(yè)、汽車等市場全方位地滲透,在快充、激光雷達、手機、5G、新能源汽車、無線充電和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域都已打開了局面。
據(jù)透露,英諾賽科的低壓氮化鎵產(chǎn)品已取代美國某公司產(chǎn)品,成為中國領(lǐng)先的激光雷達企業(yè)禾賽科技的供應(yīng)商,。同時,英諾賽科已成功開發(fā)出應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的低壓氮化鎵電源管理芯片產(chǎn)品,可取代原有硅器件,大幅度提升系統(tǒng)效率,降低能耗及運營成本。
行業(yè)人士預(yù)測,隨著技術(shù)和市場化應(yīng)用逐漸成熟,氮化鎵器件大規(guī)模上量后,成本將不是問題,預(yù)計2022年氮化鎵芯片將與硅器件價格持平,到了2023年甚至成本還更具優(yōu)勢,未來65%硅功率器件應(yīng)用場景都可以采用氮化鎵。
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