最近 ， 江蘇能華微電子 在深圳召開經銷商渠道大會，除了披露了其第三代半導體的制造鏈條和展示GaN Power HEMT的應用場景，還透露了二廠的最新建設進度—— 年底預產 ，未來將提升 10倍產能 。

二廠年底預產

新簽2.7億項目

據江蘇能華官網，該公司于2010年創建，已建立了GaN功率器件生產線，項目計劃總投資 50億元 ，一期投資超10個億。

2013年初能華建立了GaN研發中試線，2016年6月啟動了GaN功率器件 6英寸 生產線，2018年1月啟動GaN 外延8英寸 研發和生產線。

目前，江蘇能華的二廠也已經在籌備建線中，在接受媒體采訪時，江蘇能華總經理朱廷剛博士透露，“預計年底可以進入到預生產狀態，經過產能爬坡以后，將會是現在的十倍規模。”

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另外，“三代半風向”還發現，今年2月7日，江蘇能華與山東濟陽區簽約，將建設氮化鎵器件封裝項目，總投資2.4億元。

GaN滲透率僅1%

能華將發力汽車、工業

據朱廷剛介紹，能華目前采用IDM模式，集設計、制造、封裝、測試以及生產等多個產業鏈環節于一身。

技術方面，目前江蘇能華在美國、蘇州、深圳三地的研發、測試條件已經同步，“能華GaN HEMT的性能和參數都是頂尖的，我們在不同功率段，比如33W、65W等市場有不同方案，在體積、能效、性能、方案靈活度等方面很有競爭力。”

隨著GaN功率器件在2020年實現量產，江蘇能華加快了市場布局。朱廷剛說，“到了目前這個階段，我們具備了量產能力，我們Ready了，這次的經銷商大會只是見個面，讓大家認識能華?！?/span>

對于未來的市場空間，他表示，“之前安克CEO說，全球充電器市場每年是40億左右的產量，其中GaN氮化鎵只有1%，未來的市場需求很大。我相信GaN在一些方面取代硅是必然的，能華一定會抓住這個機會。”

除了電源行業，后續能華還將在汽車、工業等方面持續投入。據“三代半風向”了解，能華微還參與了眾多重點項目。

? 2020江蘇省重點研發計劃

課題名稱：面向5G通信應用的6英寸碳化硅上高質量氮化鎵外延生長研究

立項時間：2020年

重點解決6 英寸GaN 外延材料位錯密度高、翹曲度大、均勻性差和重復性差等科研與學術的關鍵難題，提高國產SiC 襯底GaN HEMT 外延材料和微波器件技術水平，形成具有自主知識產權的成套核心技術，滿足民用5G 移動通訊基站和雷達等軍民領域的爆發式增長需求。對解決關鍵材料“卡脖子”問題，擺脫受制于人的被動局面具有重要戰略意義。

? 2018江蘇省重點研發計劃

課題名稱：藍寶石基高可靠GaN-HEMT器件制備及應用關鍵技術研發

立項時間：2018年

研制出滿足智能家電、新能源汽車等應用需求的高可靠性藍寶石基增強型GaN-HEMT器件。

? 2018江蘇省重點研發計劃

課題名稱：大尺寸、高質量氧化鎵超寬禁帶功率半導體材料關鍵技術開發及應用

立項時間：2018年

在材料外延技術和規?；苽涔に嚪矫嫒〉藐P鍵性突破，獲得滿足功率電子器件要求的高質量、大尺寸、低成本Ga2O3外延晶圓，為我國在先進功率半導體及其電力電子器件領域的發展和實用化提供技術支撐。

? 2017國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項

課題名稱：GaN基新型電力電子器件關鍵技術 課題GaN基功率器件雪崩擊穿效應與新型耐壓結構

立項時間：2017年

GaN基器件耐壓水平實現突破，達到國際先進水平，闡明GaN基器件的穩定性問題，找到提高器件穩定性方法；嘗試GaN基器件在電源中的應用，為推廣實用化打下基礎。

? 2016江蘇省重點研發計劃

課題名稱：高性能增強型Si基GaN功率開關器件共性關鍵技術研發

立項時間：2016年

結合國家在節能減排和實現能源高效利用等方面的發展需求，以實現高性能增強型Si基GaN功率開關器件為目標，開展與之相關的共性關鍵技術的研發工作，實現相關的技術突破與產業化開發。

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