SiP 之 “4D“ 集成技術

4D integration in SiP

電子系統的集成(integration)可以從 ICPCB, Package三個領域來理解。
IC和PCB主要是在2D上進行集成,雖然也有3D集成方面的嘗試,但IC由于工藝的限制,PCB由于尺寸的限制,目前二者在3D集成應用中均屬于鳳毛麟角。
而Package中的集成則更為靈活多樣,從2D到2.5D到3D,并最終發展出系統級封裝SiP,并且正是因為其集成方式的多樣性,從而使SiP成為當今電子系統集成的熱點。
今天,我們討論的是一個新的話題,在 SiP中,除了2D,2.5D,3D集成外,還有沒有其它的集成方式,如果有,我們又該如何理解呢?

四 維 空 間
SiP 之 “4D“ 集成技術的圖1



看過盜夢空間的人大概不會忘記直立起來的地面,和高高懸掛于地面的建筑和房屋。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖2

現實中,這種情景只可能在夢境中出現或者在科幻作品中出現。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖3

如果有一天真有這樣的情景出現,那么,我們的城市功能將會發生巨變。

在地球上,由于受重力等因素的影響,這種情況出現的機率比較小。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖4

然而,在未來的太空城,則會大概率會出現折疊城市的情景。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖5

在這篇文章中,我們可以將這種空間結構定義為四維(4D)空間。


4D 集 成 定 義
SiP 之 “4D“ 集成技術的圖6

今天,我們要討論一下SiP中的4D集成技術。
現有的SiP中的集成技術,包括2D,2.5D,3D集成,所有的芯片(Chip),轉接板(interposer)和基板(Substrate),在三維坐標系中,其Z軸均是豎直向上。
SiP 之 “4D“ 集成技術的圖7
當XY平面旋轉時,其Z軸會發生偏移,我們可以做如下定義:
在SiP中,當多塊基板所處的XY平面并不平行,即不同基板的Z軸方向發生偏移,我們則可定義此類SiP中的集成方式為4D集成。
In SiP, when the XY planes of multiple substrates are not parallel, that is, the Z-axis direction of different substrates is offset, we can define  such integration method as a 4D integration in SiP. 
SiP 之 “4D“ 集成技術的圖8

在SiP中,具體的4D集成如何實現呢?請看下面的詳細闡述。


技 術 實 現
SiP 之 “4D“ 集成技術的圖9


這里,我們描述兩種典型的4D集成實現方法。

1.通過剛柔結合折疊基板——實現4D集成

以下描述的SiP系統級封裝,采用了4D集成結構,其封裝基板采用了剛柔結合板,其中包含6塊剛性基板,中間通過5個柔性電路連接,在6塊剛性基板上,均可安裝芯片等元器件,柔性電路主要起到電氣互聯和物理連接的作用。
在元器件安裝完成后,對柔性區域進行90度彎曲,將剛性基板彎折并拼接成一開蓋盒狀體,并對其接縫處進行焊接,然后對封裝體內部充膠加固,最后封蓋,植球,形成完整的三維系統級封裝。
下圖為4D集成SiP的基板頂視圖,其中A、B、C、D、E、F為剛性基板,總共6塊,通過5個柔性電路連接起來,有柔性電路連接的邊做金屬化處理,用于后期的焊接。
SiP 之 “4D“ 集成技術的圖10
每塊剛性基板上可安裝元器件,安裝元器件的原則是盡可能將高度大的元器件安裝在基板中央位置,高度小的可往基板外側安裝,但不能太靠近邊緣,避免和其它基板上的元器件產生干涉,每塊基板上的元器件高度大致呈金字塔型排布,如果是裸芯片,可進行芯片堆疊安裝。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖11

元器件安裝完成后,可做初步加固,一般對裸芯片做點膠處理,主要是為了保護鍵合線不在后續工藝中受到影響,然后將1、2、3、4處的柔性電路向上彎曲90度,形成開放式盒體,并對B、C、D、E四塊剛性基板相鄰的四個邊進行焊接,參看下圖。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖12

然后,給盒體灌膠,或者點膠加固芯片,并將柔性電路5向右彎折,使得剛性基板F和其它基板接觸,并對其相鄰邊進行焊接。


SiP 之 “4D“ 集成技術的圖13

焊接完成,等灌膠固化后,給A基板底部植球,封裝完成,如果有需求,也可以進行封裝堆疊,進一步增加空間的利用率,如下圖所示。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖14


2.通過邊沿焊接折疊基板——實現 4D 集成
以下描述的SiP系統級封裝,采用了4D集成結構,其封裝基板采用了陶瓷基板,整個封裝體包含6塊陶瓷基板,每一塊陶瓷基板上均可安裝芯片等元器件,并設計了電氣連接點,基板之間通過焊接進行物理和電氣連接。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖15

在所有元器件安裝完成后,首先將其中4塊基板垂直安放并焊接成一個框式結構,然后將其它兩塊基板焊接到框式結構的上下兩個面,形成一個完整的封裝體,因為對其接縫處設計了氣密性焊接環,所以焊接完成后整個封裝體內部和外部實現了氣密性隔離,形成完整的氣密性三維系統級封裝。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖16

該4D集成基板分為6部分,在基板設計時,可整體進行設計,也可每塊基板單獨進行設計,基板設計時需要重點考慮各個基板之間的電氣連接點,同時在基板邊緣做金屬化處理,用于后期的氣密性焊接。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖17

封裝完成后,所有元器件位于封裝體內部,和外部空間隔絕,形成氣密性三維系統級封裝,其側面剖視圖如下圖所示。然后給A基板底部植球,用于該系統級封裝和外部電氣連接點的連接,通常是焊接到PCB上的電氣連接點。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖18

如果有需求,也可以進行封裝體堆疊,進一步增加空間的利用率,如下圖所示,其前提是在F基板頂部設計并制作了相應的電氣連接點。

SiP 之 “4D“ 集成技術的圖19


前 景 展 望
SiP 之 “4D“ 集成技術的圖20


從嚴格物理意義上來說,以現有的人類認知出發,所有的物體都是三維的, 二向箔并不存在,四維空間更待考證。
當然,為了便于區分,在SiP的集成方式中,我們將其分為2D、2.5D、3D,這同樣是我們將基板折疊的SiP稱之為“4D集成”的原因所在。
目前,在SiP中增加集成度主要采用平行堆疊的方式( 2.5D、3D),其中包括芯片堆疊和基板堆疊等方式。平行堆疊方式目前雖然應用比較普遍,在一定程度上提高了系統級封裝的集成度,但也有一些難以解決的問題。例如芯片堆疊中對芯片的尺寸、功耗等都有比較嚴格的要求;基板堆疊中對上下基板的尺寸及引腳對位也有嚴格的要求;互聯的金屬球或者柱占用了大量的芯片安裝空間,另外散熱問題也無法很好解決,所以在實際項目應用時有很大的局限性。另外,這種平行載板堆疊技術通常無法實現氣密性封裝,而這是航空航天、軍工等很多領域特定應用的基本的要求。
通過4D集成技術可以解決平行三維堆疊所無法解決的問題,提供更多、更靈活的芯片安裝空間,解決大功率芯片的散熱問題,以及航空航天、軍工等領域應用中最主要的氣密性問題。
所以,展望未來,在多樣化的SiP的集成方式中,4D集成技術必定占有一席之地,并將成為繼 2.5D、3D集成技術后重要的集成技術。
那么,現實世界中,到底有沒有4D空間呢?它是我們想象的那樣嗎?
SiP 之 “4D“ 集成技術的圖21
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