據介紹，KERI為Yes Power提供了一套全面的技術包，其中包括用于產品商業化的各種測量和分析技術，以及用于開發“溝槽結構SiC MOSFET”的原始技術。從設備購買到大規模生產線建設，KERI將提供全程幫助。

檢測技術方面，今年3月，KERI宣布，他們已經開發了一種劃時代的技術，可以在早期階段分析和評估碳化硅材料中的缺陷。

KERI稱，碳化硅材料檢測設備具有很高的技術難度和進入壁壘，目前日本占據了世界市場的80％以上，而現在KERI的檢測產品已經開始量產，成本僅為日本的一半，日本設備價格為14億韓元（約813萬人民幣）。

據介紹，KERI開發了利用光致發光現象檢測SiC材料缺陷的技術，原理是通過將紫外線能量傳輸到SiC材料，來分析電子發射的特定波長，以確定是否存在晶體缺陷。這種缺陷分析儀是KERI與光學檢查設備專業制造商Etamax進行合作開發的。

相比之下，日本檢測設備是根據檢查目標和評估項目，選擇兩種不同波長的光，來檢測表面和內部缺陷，而KERI設備可以檢查各種內部缺陷。 

YEST集團于2017年12月成立“YES POWER TECHNIX”。今年1月28日，SK集團以268億韓元（約1.59億人民幣）收購了Yes Power Technix公司33.6％股權。

據“三代半風向”了解，2017年10月，YEST集團就完成SiC SBD SET評估和可靠性評估，2018年7月建立韓國首條SiC功率半導體生產線。

2019年YES開發1700V碳化硅MOSFET和4500V碳化硅MOSFET。目前，YES POWER TECHNIX是韓國唯一擁有高溫工藝生產線的SiC制造商，其浦項工廠的SiC晶片年產量最多可達到14400片。

YES POWER TECHNIX生產線

而KERI從2000年就開始研發碳化硅技術，截至2014年KERI的技術路線圖如下↓↓↓↓