極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠鏡，光微影技術。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環境需高度真空。

        EUV是新一代光刻機最主要的技術，稱為極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）。使用極紫外（EUV）波長的新一代光刻技術，其波長為13.5納米。幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強的吸收，因此，EUV光刻機的光學系統只有使用反光鏡。

        針對光學系統的反射鏡組，采用Comsol分析了反射鏡組在工況中的光、熱、力多物理場表現。

        通過波動光學獲得反射鏡涂層的光熱性能，耦合幾何光路的分析獲得最終反射鏡組光、熱、力多物理場性能表現。

以下是反射鏡組的熱應力分布展示。

在本次工況中，鏡片的產生了約4.5nm熱變形，與實際實驗數據基本吻合。