?? 4月，關于車規級功率半導體，這些點 全！都！要！看！

導讀：對于工程設計人員來講，IGBT芯片的性能，可以從規格書中很直觀地得到。但是，系統設計時，這些性能能夠發揮出來多少，就要看“封裝“了，畢竟夏天穿著棉襖工作任誰也扛不住，因此，對于怕熱的IGBT芯片來講，就是要穿得“涼快”。

電動汽車逆變器的應用上，國際大廠還是傾向于自主封裝的IGBT，追求散熱效率的同時，以最優化空間布局，匹配系統需求。

• 晶圓生產：包含硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型三個步驟，目前國際主流是8英寸晶圓，部分晶圓廠12英寸產線逐步投產，晶圓尺寸越大，良品率越高，最終生產的單個器件成本越低，市場競爭力越大
• 芯片設計：IGBT制造的前期關鍵流程，目前主流的商業化產品基于Trench-FS設計，不同廠家設計的IGBT芯片特點不同，表現在性能上有一定差異
• 芯片制造：芯片制造高度依賴產線設備和工藝，全球能制造出頂尖光刻機的廠商不足五家；要把先進的芯片設計在工藝上實現有非常大的難度，尤其是薄片工藝和背面工藝，目前這方面國內還有一些差距
• 器件封裝：器件生產的后道工序，需要完整的封裝產線，核心設備依賴進口
  
  

IGBT芯片

IGBT封裝

單管功率模組的散熱原理與模塊類似。

Model 3的SiC單管與散熱器的焊接采用銀燒結的方式，與Model X相比，顯著提高了功率模塊散熱路徑的散熱效率和可靠性

總 結

為了更好的鏈接產業鏈上下游，方便各位會議現場進行更多的資源互通，我們將在4月12日上午9點后組織商務洽談環節！希望各位嘉賓，來有所獲。

ps:不在表格里的客戶不要驚慌，這份是第一批次的安排，活動過程中每半小時進行一次輪換交流，詳細安排可與主辦方溝通。

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