X2Y® 技術替換C3216CH2A472J穿心電容
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X2Y?
技術替換
C3216CH2A472J
穿心電容
摘要:應用文稿 #2003 音頻放大器電路的 RF 濾波和其它文獻都強調了 X2Y? 技術相比穿心式片狀電容的好處。對于在旁路中使用 X2Y? 技術替換 2 個 C3216CH2A472J 穿心電容的設計工程師,本文是一篇實踐指南。此外,本文還展示了另一種 X2Y? 技術旁路配置,用于單通道信號濾波或者試著向后兼容 X2Y? 技術。
穿心式片狀電容
通過展示同一電路中穿心式片狀電容和 X2Y? 技術這兩種產品如何工作,以突出兩者之間最重要的微妙之處。圖 1 展示了一個示意框架,布板和單個 C3216CH2A472J 穿心電容的實現。注意圖中 PWR 印制線是斷開的。其會起到兩個作用:
1 )通過印制線將 C3216CH2A472J 穿心電容串聯在一起。
2 )電流被強制穿過電容且增加了直流電阻。
圖 1. 單 C3216CH2A472J 穿心電容的框架 , 布板 , 和實現 .
由于其內部電極設計,對于每條通路都需要單個 C3216CH2A472J 穿心電容,如圖 2 和 3 所示,此會增加元件布局面積,復雜性和成本。
圖 2. 2 個位于電源和返回線之間的穿心式片狀電容的框架 , 布板 , 和實現
圖 3. 位于 2 條電源線之間的 2 個穿心式片狀電容的框架 , 布板 , 和實現 .
當 C3216CH2A472J 穿心電容應用需要匹配容量的 10% 或者更少時,廠商不得不考慮哪一種情形會增加額外的成本。
實現 X2Y? 技術
首選的 X2Y? 附件配置是電路 1 (圖 4 和圖 5 )。電路 1 使用 X2Y? 技術通過一個 X2Y? 元件來替換 2 個 C3216CH2A472J 穿心電容。單個元件被置于旁路中的兩條跡線之間以實現 X2Y? 技術。不像 C3216CH2A472J 穿心電容(串聯), X2Y? 元件到跡線的連接是并行的,認識到這一點很重要。
獨特的結構,差分連接,為噪聲提供了一條低阻值的路徑,而且維護跡線上的直流電流和隔離跡線之間的串擾。結果是沒有增加直流電阻。
電路 1 的配置展示了 X2Y? 結構最好的性能和優越于 C3216CH2A472J 穿心電容的性能。
圖 4. 電路 1- 單個位于電源和返回線之間的 X2Y? 元件的框架 , 布板 , 和實現
圖 5. 電路 1- 單個位于 2 條電源線之間的 X2Y? 元件的框架 , 布局 , 和實現
由于 X2Y? 元件的容性部分呈幾何對稱并且共用同一個底層;兩個電容的容量值匹配精度為 1-2 %,,具體參考HTTP://WWW.HQEW.COM/TECH/DR/200010060034_1389.HTML,兩個容值隨元件的溫度和老化程度的變化幅度相同,因此匹配精度不變。
X2Y? 技術的另外實現
針對電路 1 配置的另一種實現是電路 2 配置(圖 6 )。當單通道需要濾波或者試著向后兼容 X2Y? 技術到先前布局設計并且要求設計改變最小時推薦使用該配置。
圖 6. 電路 2- 單個位于電源線和地線之間的 X2Y? 元件的框架 , 布板 , 和實現 .
第 2 種另外實現是改進的電路 2 配置,當 G1/G2 平行于跡線并且 A/B 終端接地時(圖 7 )。
圖 7. 電路 2 (供選擇) - 單個位于電源線和地線之間的 X2Y? 元件的框架 , 布板 , 和實現
因之 X2Y? 結構的對稱性,圖 6 和圖 7 之間的插損測量(性能)差異是微不足道的。
采用 X2Y? 技術來替換 C3216CH2A472J 穿心電容,可以減少器件數量,不增加直流電阻 , 沒有通過電流限制 , 同時不同線路之間容值匹配精確。
摘要:應用文稿 #2003 音頻放大器電路的 RF 濾波和其它文獻都強調了 X2Y? 技術相比穿心式片狀電容的好處。對于在旁路中使用 X2Y? 技術替換 2 個 C3216CH2A472J 穿心電容的設計工程師,本文是一篇實踐指南。此外,本文還展示了另一種 X2Y? 技術旁路配置,用于單通道信號濾波或者試著向后兼容 X2Y? 技術。
穿心式片狀電容
通過展示同一電路中穿心式片狀電容和 X2Y? 技術這兩種產品如何工作,以突出兩者之間最重要的微妙之處。圖 1 展示了一個示意框架,布板和單個 C3216CH2A472J 穿心電容的實現。注意圖中 PWR 印制線是斷開的。其會起到兩個作用:
1 )通過印制線將 C3216CH2A472J 穿心電容串聯在一起。
2 )電流被強制穿過電容且增加了直流電阻。
圖 1. 單 C3216CH2A472J 穿心電容的框架 , 布板 , 和實現 .
由于其內部電極設計,對于每條通路都需要單個 C3216CH2A472J 穿心電容,如圖 2 和 3 所示,此會增加元件布局面積,復雜性和成本。
圖 2. 2 個位于電源和返回線之間的穿心式片狀電容的框架 , 布板 , 和實現
圖 3. 位于 2 條電源線之間的 2 個穿心式片狀電容的框架 , 布板 , 和實現 .
當 C3216CH2A472J 穿心電容應用需要匹配容量的 10% 或者更少時,廠商不得不考慮哪一種情形會增加額外的成本。
實現 X2Y? 技術
首選的 X2Y? 附件配置是電路 1 (圖 4 和圖 5 )。電路 1 使用 X2Y? 技術通過一個 X2Y? 元件來替換 2 個 C3216CH2A472J 穿心電容。單個元件被置于旁路中的兩條跡線之間以實現 X2Y? 技術。不像 C3216CH2A472J 穿心電容(串聯), X2Y? 元件到跡線的連接是并行的,認識到這一點很重要。
獨特的結構,差分連接,為噪聲提供了一條低阻值的路徑,而且維護跡線上的直流電流和隔離跡線之間的串擾。結果是沒有增加直流電阻。
電路 1 的配置展示了 X2Y? 結構最好的性能和優越于 C3216CH2A472J 穿心電容的性能。
圖 4. 電路 1- 單個位于電源和返回線之間的 X2Y? 元件的框架 , 布板 , 和實現
圖 5. 電路 1- 單個位于 2 條電源線之間的 X2Y? 元件的框架 , 布局 , 和實現
由于 X2Y? 元件的容性部分呈幾何對稱并且共用同一個底層;兩個電容的容量值匹配精度為 1-2 %,,具體參考HTTP://WWW.HQEW.COM/TECH/DR/200010060034_1389.HTML,兩個容值隨元件的溫度和老化程度的變化幅度相同,因此匹配精度不變。
X2Y? 技術的另外實現
針對電路 1 配置的另一種實現是電路 2 配置(圖 6 )。當單通道需要濾波或者試著向后兼容 X2Y? 技術到先前布局設計并且要求設計改變最小時推薦使用該配置。
圖 6. 電路 2- 單個位于電源線和地線之間的 X2Y? 元件的框架 , 布板 , 和實現 .
第 2 種另外實現是改進的電路 2 配置,當 G1/G2 平行于跡線并且 A/B 終端接地時(圖 7 )。
圖 7. 電路 2 (供選擇) - 單個位于電源線和地線之間的 X2Y? 元件的框架 , 布板 , 和實現
因之 X2Y? 結構的對稱性,圖 6 和圖 7 之間的插損測量(性能)差異是微不足道的。
采用 X2Y? 技術來替換 C3216CH2A472J 穿心電容,可以減少器件數量,不增加直流電阻 , 沒有通過電流限制 , 同時不同線路之間容值匹配精確。
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