② IC制造臺(tái)積電在IC制造上有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)！2017年就實(shí)現(xiàn)了7nm工藝，2020年實(shí)現(xiàn)了5nm的量產(chǎn)?，F(xiàn)在正在研究3nm、2nm的工藝。但是，硅基芯片的“摩爾定律”已經(jīng)快到物理極限了。眾所周知，制程工藝上說(shuō)的多少納米是指半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。隨著柵長(zhǎng)的縮短，晶體管的源極和漏極之間的漏電現(xiàn)象會(huì)增大，從而導(dǎo)致晶體管無(wú)法正常工作。特別是在7nm以下，這種“隧穿效應(yīng)”更加明顯。同時(shí)還有晶體管的短溝效應(yīng)，會(huì)使閥值電壓降低。在1nm及以下工藝，要解決這些問題會(huì)變得極其困難。
③ 封測(cè)和整機(jī)首先臺(tái)積電自己有封測(cè)業(yè)務(wù)，所以，封測(cè)產(chǎn)業(yè)對(duì)它不會(huì)有影響。而整機(jī)產(chǎn)業(yè)，正是被臺(tái)積電影響的產(chǎn)業(yè)。不過，萬(wàn)事萬(wàn)物的影響都是相互的。整機(jī)廠商需要芯片，臺(tái)積電可以制造出先進(jìn)的芯片。但是，做芯片制造的也不是臺(tái)積電一家。整機(jī)廠商是直接面對(duì)消費(fèi)者的商家，他們的宣傳對(duì)是市場(chǎng)是有很大影響力的。一定程度上也會(huì)反作用于芯片制造企業(yè)。
② 制造設(shè)備芯片制造設(shè)備主要涉及蝕刻機(jī)、光刻機(jī)。但最為高尖端的就是光刻機(jī)。要生產(chǎn)5nm及以下芯片，必須要用到EUV極紫外光刻機(jī)，而這款被稱為“半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠”卻基本壟斷在荷蘭ASML公司手里。臺(tái)積電雖然和ASML關(guān)系很好，但始終也還是有求于它。而ASML制造EUV光刻機(jī)又需要用到多國(guó)的高尖端配件。
