本文介紹用VASP如何求硅的電子態密度和能帶，共分為如下5個部分：

(1).     生成4個輸入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS

(2).     優化晶格參數,求出能量最低所對應的晶格參數

(3).     固定晶格參數, 求出能態密度(DOSCAR), 確定費米能量

(4).     修改KPOINTS和INCAR輸入文件,固定電荷密度,做非自洽計算,得到輸出文件EIGENVAL

(5).     提取數據,畫圖

(1).      生成4個輸入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS

(2). 優化晶格參數,求出能量最低所對應的晶格參數

 

(3).     固定晶格參數, 求出能態密度(DOSCAR), 確定費米能量

(i)         找到平衡晶格常數后, 把該值寫入到POSCA件中,并增加K點數作一個離子步自洽計算(NSW = 0, IBRION = -1) .

(ii)   從DOSCAR輸出文件中讀出態密度和費米能級,費米費米能級也可從OUTCAR中讀出.

(4).         做非自洽計算, 求電子結構

 

?       修改INCA件: 將參數ICHARG設為 11

?          修改KPOINTS輸入文件

?       運行VASP程序,從輸出文件EIGENVAL中提出電子結構

畫出電荷密度

?     VASP輸出電荷密度文件CHGCAR

?     采用免費程序LEV00處理數據文件CHGCAR www.cmmp.ucl.ac.uk/lev

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