12月18日，據美國商務部官網消息，美國商務部工業和安全局（BIS）將中國中芯國際半導體制造有限公司(SMIC）列入實體名單。BIS聲稱采取這一行動是為了保護美國國家安全，涉及中國軍民融合（MCF）原則，認為中芯國際與中國軍事工業聯合體有相關交集。

值得注意的是，此次被制裁的77家企業實體中，中芯長電亦被列入黑名單。未來對長電科技的影響幾何，還未可知。中芯長電是中國兩家半導體行業最知名的公司中芯國際、長電科技的合資公司。美國未來若大范圍孤立中國半導體，封裝測試領域恐受難。另外，中芯國際已是長電科技大股東。

另外，BIS還將超過60個其他實體添加到“實體列表”中，因為他們違反了美國國家安全或外交政策利益。這些實體包括在中國實施侵犯人權行為的實體、支持中國南海的軍事化和非法海事請求的實體、盜竊美國商業機密的實體等。

近日，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發的 ArF 光刻膠產品成功通過客戶使用認證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。

“ArF 光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過，標志著“ArF 光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一只國產 ArF 光刻膠。此舉意味著國產193nm ArF 光刻膠產品正式由研發走向量產階段。

認證評估報告顯示，“本次認證選擇客戶 50nm 閃存產品中的控制柵進行驗證，寧波南大光電的 ArF 光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求，良率結果達標。”

本次驗證使用的 50nm 閃存技術平臺，在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm 光刻需求，孔制程工藝可滿足65nm-90nm 光刻需求，該工藝平臺的光刻膠在業界有代表性。公告稱與該客戶的產品銷售與服務協議尚在協商之中，但公告并未透露使用該光刻膠的閃存客戶是哪一家。

12月16日，通威股份15GW單晶拉棒切方項目簽約儀式在成都通威國際中心成功舉行。通威股份與樂山市人民政府、五通橋區人民政府正式簽訂《通威股份15GW單晶拉棒切方項目》協議。

據了解，通威股份15GW單晶拉棒切方項目規劃用地470畝，總投資50億，項目將按照“全新的技術創新、全新的智慧工廠、全新的產品定位、全新的戰略定位、全新的核心競爭力”五個“全新”的思路，打造現代化智慧工廠、綠色工廠。項目將選用當前最新設備，配套當前最新工藝，生產當前最新產品，實現拉棒裝料與多晶硅后處理無縫對接，打造全球最具競爭力的單晶拉棒生產企業。

國際半導體產業協會今(SEMI)在近日舉行的2020年度日本國際半導體展(SEMICON Japan)公布年終整體OEM半導體設備預測報告數據顯示，預計全球原始設備制造商（OEM）半導體制造設備銷售總額相較2019年的596億美元將增長16%，創下689億美元的業界新紀錄。

SEMI也預計全球半導體設備市場增長力道在明后年持續走強，2021年將進一步增長到719億美元，2022年更將達到761億美元新高點。這波明顯增長是得益于半導體前段和后段設備需求同步拉動所致。

前段晶圓廠設備(含晶圓制程、晶圓廠設施和光罩設備) 2020年將成長15%，達到594億美元，預計于2021年和2022年各有4%和6%的成長；而占晶圓制造設備總銷售約一半的代工和邏輯部門，受惠于今年廠商大舉先進技術產能，今年支出出現雙位數中段的成長幅度，達300億美元。

12月17日消息，據嘉興科技城消息顯示，年產1200萬片300mm中晶大硅片項目，一期土建工程和外立面玻璃幕墻已完成，正開展內部機電安裝和裝修工程，明年年初將試生產。

據介紹，中晶大硅片項目計劃總投資110億元，其中一期投資60億元，固定資產投資超56億元，用地面積139畝，計劃建設12英寸單晶硅片生產線。該項目總用地221畝，總建筑面積11.5萬平方米，將新建拉晶廠房、拋光打磨廠房、綜合樓等，購置硅片晶體檢測及分析、拉晶爐、切磨拋光、清洗等生產檢測設備。

中晶科技主營業務為半導體硅材料的研發、生產和銷售，主要產品為半導體硅片及半導體硅棒。處于半導體產業鏈的上游，其下游為半導體分立器件和集成電路制造業。

12月17日，斯達半導發布公告，公司擬在嘉興斯達半導體股份有限公司現有廠區內，投資建設全碳化硅功率模組產業化項目，本項目計劃總投資2.29億元，投資建設年產8萬顆車規級全碳化硅功率模組生產線和研發測試中心，項目將按照市場需求逐步投入，建設周期約為24個月。

斯達半導在公告中表示，本項目的實施后，將進一步提高公司在汽車級全碳化硅功率模組的技術水平，提高供貨能力，為公司進一步拓展新能源汽車市場，提高市場占有率打下堅實的基礎。新能源汽車市場作為公司重點開拓的戰略市場，加大對汽車級全碳化硅功率模組的研發及產業化，符合公司的戰略發展方向。

12月19日消息 今天，歐菲光宣布，成功研發半導體封裝用高端引線框架。歐菲光打造了一支規范化、成熟化、專業化的技術團隊，擁有多名材料、化學相關專家，其中多人富有 10 年以上 IC 封裝引線框架、LED EMC 支架產業的經驗。

歐菲光已同時掌握先鍍后蝕刻、先蝕刻后電鍍、鎳鈀金電鍍、EMC 高光亮鍍銀四種技術，完全能應對 IC 及 LED 蝕刻引線框架市場各類產品的需求，能為客戶提供更快速的產品開發服務，并滿足客戶更多樣化需求的產品。

歐菲光基于現有的生產線和生產技術，計劃于 2021 年第一季度開始以倒裝無電鍍的產線開始打樣試產，與此同時持續加強研發投入，在江西鷹潭成立江西芯恒創半導體公司，打造全新產線，預期 2021 年第二季度以全新的產線將已開發的各種工藝陸續導入量產。

以色列耐斯茨奧納2020年12月16日 ， VisIC Technologies Ltd公司，汽車高壓應用氮化鎵（GaN）器件的全球領導者，自豪地宣布其新的低導通電阻產品發布。針對電動汽車逆變器應用，此款產品將有助于提高電機控制器效率，降低整機制造成本。新的8毫歐姆產品是支持客戶和改進電源轉換系統的持續努力中的又一步驟。

與VisIC上一代產品相比，V8 產品將當前功率提高了一倍，電阻降低了 2.5 倍。這將使我們的電動汽車應用客戶改進其逆變器系統，在尺寸、功率和成本方面更高效地實現設計目標。新產品的額定參數為 8毫歐姆、650伏特、200安培，與同類 IGBT 或 SiC 器件相比，在相同電流范圍內可實現顯著降低的開關損耗。客戶可以將該新產品集成到分立封裝和功率模塊設計中。這項新技術可節省功率損耗，特別是在大電流電動汽車逆變器系統的功率循環測試中。

與現有的硅晶圓技術相比較，對于寬禁帶器件SiC和GaN來說，制造更大電流的裸芯片非常有挑戰。由于D3 GaN平臺的精心設計，以及VisIC公司制造合作伙伴臺積電的卓越制造，使得200安培 GaN功率晶體管的突破成為可能。這一突破將使電動汽車受益于GaN的高效技術，實現更具成本效益的電動汽車設計，助力于更綠色和清潔的地球。