報名 | 芯片級電磁仿真工具Ansys RaptorH網絡研討會
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它能有效幫助客戶解決不良干擾，避免可能導致設計周期延長、風險增大、成本升高以及性能不理想等不良影響。近期，Ansys RaptorH仿真解決方案也已通過三星Foundry認證，該解決方案用于研發高級片上系統（SoC）和2.5維/三維集成電路（2.5D/3D-IC）。
會議主題
Ansys RaptorH簡介-SoC，混合信號和RFIC電磁建模
Introducing Ansys RaptorH: SoC, Mixed-Signal and RFIC Electromagnetic Modeling
*本次會議主題將分為兩個時段進行，請感興趣的觀眾選擇合適的時段報名參加即可。
會議時間
北京時間：2020年6月3日，早上8:30
北京時間：2020年6月4日，晚上10:30
簡介
Ansys電磁場求解器增加新工具RaptorH，該工具將應用領域擴展到芯片和其構成的電子系統。增強后的片上電磁仿真工具RaptorH將包括Ansys HFSS標準引擎并將其集成到易用的界面中，以供芯片設計人員使用，同時工具保持了Ansys RaptorX的速度與大容量。本次網絡研討會中將針對RaptorH以下功能做介紹：
如何獲取適配每個仿真任務的最佳引擎
易于使用的GUI界面針對芯片級EM分析進行的優化
芯片工藝廠認證和工藝廠tech file相關信息
FinFET支持先進工藝到5nm及以下
技術鄰APP
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