求助各路大神，基于COMSOL6.3仿真，我如今有這樣的結構，在450μm厚的基底硅上通過電子束蒸發沉積有一層300nm厚的金用作鍵合環，在450μm厚的硅蓋板底部通過熱氧化生長了3.8μm厚度的SIO2，然后再通過電子束蒸發在SIO2底部沉積300nm的金用作鍵合環，最后通過金金熱壓鍵合工藝將蓋板與基底鍵合起來（基底與蓋板內部均挖有正方形截面的長方體凹槽，凹槽不貫穿基底或蓋板，鍵合環在凹槽的臺階外部邊緣），請問對于這樣的結構，我想要通過COMSOL仿真在已經鍵合完成的情況下（暫時不考慮鍵合工藝的殘余應力，假設20攝氏度下各層結構無應力），鍵合片在20-200攝氏度的不同環境溫度下內部各層之間真實的熱失配應力的產生與傳遞情況，并在后處理中查看分析金-硅/金-SIO2/金-金界面在高溫下的脫粘風險，對于每種材料層之間分別應該使用聯合體還是裝配體？若使用裝配體，對于不同材料的界面應該使用接觸對還是一致對？若使用接觸對，應該在固體力學接口的接觸里添加哪些或哪個接觸特性的子接口？